PRÉCISION-SORCELLERIE +18% vitesse d'attaque ⇒ +9% vitesse d'attaque, +10 puissance ou +6 dégâts d'attaque
+9% Attack speed and +10 ability power or +6 attack damage, adaptive
général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
Le matériau de source peut présenter une vitesse d'attaque ne dépassant pas 33% d'une vitesse d'attaque du matériau isolant pour le processus d'attaque utilisé pour créer le trou.
The source material may have an etch rate no faster than 33% as fast as an etch rate of the insulating material for the etch process used to create the hole.
électronique et électrotechnique - wipo.int
Dans l'étape de rugosification, la vitesse d'attaque de la couche de surface est supérieure à la vitesse d'attaque de la couche barrière.
In the roughening step, the etching rate of the surface layer is larger than the etching rate of the barrier layer.
chimie - wipo.int
Vitesse d'attaque de base et vitesse d'attaque par niveau augmentées de 25%.
Base attack speed and attack speed per level increased by 25%.
général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
Le liquide d'attaque chimique n'endommage pas un film conducteur transparent et présente une vitesse d'attaque chimique stable.
The etching liquid does not damage a transparent conductive film and has a stable etching rate, and waste etching liquid can be easily reused or recycled.
métallurgie et sidérurgie - wipo.int
Le ratio de vitesse d'attaque a été augmenté à 6% vitesse de déplacement, au lieu de 4%, pour 10% vitesse d'attaque.
Attack speed ratio increased to 6% movement speed per 10% attack speed from 4% MS per 10% AS.
général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
→ Sang chaud : +1% de vitesse de déplacement et +5% de vitesse d'attaque (rang 6 : 13% de vitesse de déplacement et 50% de vitesse d'attaque)
BLOOD BOIL : +1% movement speed and +5% attack speed (Rank 6: 13% movement speed and 50% attack speed)
général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
L'agilité augmente la vitesse d'attaque et la vitesse de mouvement.
Agility increases Attack Speed and Movement Speed.
général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
NOUVEAUBONUS DE VITESSE D'ATTAQUE AU NIVEAU 1 : Lissandra profite désormais d'un bonus de 5% en vitesse d'attaque au niveau 1.
LEVEL 1 BONUS ATTACK SPEED Lissandra now has 5% bonus attack speed at level 1
général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
Cet électrolyte d'attaque (9) est conditionné physiquement et/ou chimiquement de manière à présenter une vitesse d'attaque accrue par rapport au métal déposé.
Said etching electrolyte (9) is physically and/or chemically conditioned in such a manner as to have an increased etching rate relative to the deposited metal.
métallurgie et sidérurgie - wipo.int
Vitesse d'attaque - La Vitesse d'attaque dans Terraria est traitée comme la Vitesse de Déplacement : des bonus additive bonuses except the cap is at 4 times original speed.
Attack speed - Attack speed is handled like movement speed: additive bonuses except the cap is at 4 times original speed.
général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
Afin d'augmenter la vitesse d'attaque, la structure à attaquer peut être chauffée ou polarisée.
To increase the etch rate, the etch structure can be heated or biased.
électronique et électrotechnique - wipo.int
Vitesse d'Attaque - La Vitesse d'attaque dans Terraria est traitée comme la Vitesse de Déplacement : des bonus additive bonuses except the cap is at 4 times original speed.
Attack speed - Attack speed is handled like movement speed: additive bonuses except the cap is at 4 times original speed.
général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
SBIRES CANONNIERS +30 en armure et résistance magique, +10% de vitesse d'attaque, +50 en dégâts d'attaque, +750 de portée d'attaque
Cannon Minions: +30 armor and magic resist, +10% attack speed, + 50 AD, +750 range
général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
Ledit mélange d'attaque est conçu pour attaquer sélectivement ladite région active (6) du VCSEL à une vitesse sensiblement plus rapide que la vitesse d'attaque d'au moins l'un des multiple réflecteurs Bragg distribués (1,2) associés au VCSEL.
The etching mixture is designed in a manner to selectively etch the active region (6) of the VCSEL at a rate substantially faster than the etch rate of at least one of the multiple DBRs (1,2) associated with the VCSEL.
électronique et électrotechnique - wipo.int
