L'invention concerne une structure et un procédé de fabrication de cette structure utilisant une tranchée de condensateur (CT) destinée à un condensateur de tranchée et une tranchée de résistance (RT) destinée à une résistance de tranchée.
A structure and a method for fabrication of the structure use a capacitor trench (CT) for a trench capacitor and a resistor trench (RT) for a trench resistor.
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La tranchée présente une couche conductrice pour le stockage d'une électrode nodale enfouie dans une tranchée.
The trench has a conductive layer for storage node electrode buried in a trench.
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La présente invention concerne une cellule de condensateur à tranchée (100) comprenant une tranchée comportant une électrode externe (110) formée sur un substrat adjacent à la tranchée.
A trench capacitor cell (100), in accordance with the present invention, includes a trench having an outer electrode (110) formed in a substrate adjacent to the trench.
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Une tranchée est formée dans une région isolante.
An insulating region has a trench formed therein.
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Ce dispositif comprend une zone (23a) active de remplissage de tranchée, formée dans une partie d'une tranchée active (22a), et connectée avec une zone enterrée (24), placée sous une tranchée (82) de grille.
An active trench filling region (23a) is left at a part of an active trench (22a) and connected with a buried region (24) located beneath a gate trench (83).
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La surface d'intervention comprend une tranchée.
The intervening area comprises a trench.
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Ce bord étanche comprend une tranchée.
The seal edge includes a trench.
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La tranchée comprend une tranchée périphérique extérieure (22) placée de manière à entourer une région active dans une vue en plan.
The trench includes an outer peripheral trench (22) positioned in such a manner as to encircle an active region in a plan view.
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L'invention porte sur un transistor qui comprend un semi-conducteur à base d'oxyde et présente une structure de tranchée comportant une tranchée pour une électrode grille et une tranchée pour permettre l'isolement des éléments.
A transistor is provided which includes an oxide semiconductor and has a trench structure including a trench for a gate electrode and a trench for element isolation.
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L'invention porte sur un transistor qui comprend un semi-conducteur à base d'oxyde et présente une structure de tranchée comportant une tranchée pour une électrode grille et une tranchée pour permettre l'isolement des éléments.
A transistor is provided which includes an oxide semiconductor and has a trench structure including a trench for a gate electrode and a trench for element isolation.
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En excavant une partie du côté supérieur du dispositif à semiconducteur, on forme une tranchée de grille (21) et une tranchée (25).
By excavating part of the upper side of the semiconductor device, a gate trench 21 is formed.
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L'invention concerne un dispositif de stockage de type à tranchée comprenant une tranchée dans un substrat (100), avec des groupes de nanotubes de carbone (202) recouvrant la tranchée et un conducteur de tranchée (300) remplissant la tranchée.
A trench-type storage device includes a trench in a substrate (100), with bundles of carbon nanotubes (202) lining the trench and a trench conductor (300) filling the trench.
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La couche isolante comprend une tranchée (190).
The insulating layer includes a trench (190).
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Une tranchée de grille 21 et une tranchée de terminal 62 traversant la zone de corps P- 41 sont formées.
A gate trench 21 and a terminal trench 62 passing through the P- body region 41 are formed.
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Procédé d'adoucissement des angles dans une tranchée.
A method for rounding corners in a trench is provided.
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