Dictionnaire français - anglais

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
Études de la dynamique de la relaxation des porteurs dans des structures à puits quantiques pour des applications aux photodétecteurs... La caractérisation des temps de relaxation inter-sous-bandes [zeta][indices inférieurs 2[rarr]1]] et des temps de recombinaison des porteurs est effectuée a l'aide de techniques de photoluminescence résolue en temps et d'absorption transitoire....
Photocarrier recombination dynamics in highly excited srtio3 studied by transient absorption and photoluminescence spectroscopyWe studied photocarrier recombination processes in highly excited SrTiO3 crystals using pump-probe transient absorption (TA) and photoluminescence (PL) spectroscopy at room temperature....
général - core.ac.uk -général - core.ac.uk - PDF: repository.kulib.kyoto-u.ac.jp
Charge injection at the heterointerface in perovskitech3nh3pbi3 solar cells studied bysimultaneous microscopic photoluminescence and photocurrent imagingspectroscopy...intensities.These correlations were due to the competition between photocarrierinjection from the CH3NH3PbI3 layerinto the charge transport layer and photocarrier recombination withinthe CH3NH3PbI3 layer....
A study of quantum well solar cell structures with bound-to-continuum transitions for reduced carrier recombination... The absence of bound conduction band states has a number of potential advantages, including a reduction of electron trapping and, therefore, a reduction of quantum well induced photocarrier recombination due to reduced spatial overlap of the electron and hole wavefunctions.Thanks...
Photocarrier recombination dynamics in ternary chalcogenide cuins2 quantum dotsPhotocarrier recombination dynamics in ternary chalcogenide CuInS2 quantum dots (CIS QDs) was studied by means of femtosecond transient-absorption (TA) and nanosecond time-resolved...
 PDF: core.ac.uk
Temperature-dependent photocarrier recombination dynamics in cu[2]znsns[4] single crystalsTime-resolved photoluminescence (PL) measurements have been used to study the temperature-dependent photocarrier recombination dynamics in Cu[2]ZnSnS[4] (CZTS) single crystals....

Publications scientifiques

Direct luminescence and thermally stimulated luminescence of 4h cdi2
... Ces bandes sont dues à la recombinaison des porteurs de charges initialement piégés....
... These bands are due to the recombination of initially trapped charge carriers....
recherche et propriété intellectuelle - core.ac.uk -
Sem characterization of efg polycrystalline silicon solar cellsrealized by ion implantation and laser annealing with overlappingpulses
...Nd-YAG.Alors qu'au voisinage de la surface la recombinaison des porteurs est dueessentiellement aux recouvrements des impulsions laser (diamètre 100 µm, tauxde répétition 10 kHz), on constate qu'aux profondeurs plus grandes...
... At low electron beam energies (below 12 keV), strong EBIC recombinationcurrents resulting from the overlapping laser pulses is clearlyvisible....
général - core.ac.uk -
Antireflection coatings for improving optical properties of concentrated photovoltaics
...nitrure.Le remplacement de la couche de fenêtre par un ARC à base de SiN augmente la réponse spectrale dans l'UV et la lumière bleue, mais réduit la réponse dans le visible, en raison d'une passivation de surface plus faible qui augmente la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires à la surface....
... In addition, this paper investigates the benefits of removing theabsorbent AlInP window layer by field effect passivation from fixed charges in the nitride...
recherche et propriété intellectuelle / politique tarifaire - core.ac.uk -

Traductions en contexte français - anglais

Cette couche organique comprend une couche générant de la lumière par recombinaison des porteurs de charge.

Said organic layer comprises a layer that generates light by recombining charge carriers.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Chaque nanofil (2) comprend un élément barrière (6) à porteurs minoritaires pour minimiser la recombinaison des porteurs minoritaires au niveau du contact avec la deuxième couche d'électrode (8).

Each nanowire (2) comprises a minority carrier barrier element (6) for minimizing recombination of minority carriers at the contact to the second electrode layer (8).

électronique et électrotechnique - wipo.int
Dans la zone de blocage (18) est formée une zone de recombinaison constituée d'un matériau conducteur d'une recombinaison des porteurs de charge du premier et du second type de conductivité.

A recombination region is configured in the blocking region (18) and is comprised of a material that promotes a recombination of charge carriers of the first and second type of conductivity.

électronique et électrotechnique - wipo.int
La cause de cette expansion est la recombinaison des porteurs libres à proximité des RISF.

The expansion is induced through the recombination of free carriers near the RISFs.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
L'invention concerne un procédé et un dispositif de mesure de la durée de vie de recombinaison des porteurs minoritaires dans des semi-conducteurs.

The invention relates to a method and an arrangement for measuring the recombination lifetime of minority carriers in semiconductors.

industrie mécanique - wipo.int
Si la zone de recombinaison (R ) est du type de celle utilisant une jonction PN, la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires peut également être modulée par l'application d'une tension de polarisation.

If the recombination region (R) is of a type using a p-n junction, the recombination rate of the minority carriers can be also controlled by applying a bias voltage.

industrie mécanique - wipo.int
Ladite couche d'oxyde de titane est chargée négativement pour réduire la recombinaison des porteurs de charge à la surface du semi-conducteur.

A semiconductor manufacturing process, including forming a titanium oxide layer on a semiconductor surface, wherein the titanium oxide layer is negatively charged to reduce charge carrier recombination at the semiconductor surface.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Le taux de recombinaison des porteurs est surveillé par la formation d'une image du déclin de la photoluminescence au cours du temps.

The rate of carrier recombination is monitored by imaging the photoluminescence decay over time.

industrie mécanique - wipo.int
On autorise le stockage des charges dans la photodiode jusqu'à mettre en conduction directe ladite jonction supérieure de façon à favoriser (F1) la recombinaison des porteurs issus de la couche intermédiaire avec les porteurs de la couche supérieure.

The method consists in allowing storage of loads in the photodiode until activation of direct conduction of the upper junction so as to promote (F1) the recombination of carriers derived from the intermediate layer with carriers of the top layer.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Cette batterie de cellules solaires peut avoir l'épaisseur la plus appropriée en termes d'efficacité photoélectrique et réduire la perte par recombinaison des porteurs de charge.

The solar battery can have the most suitable thickness in terms of photoelectric efficiency and reduce carrier recombination loss.

électronique et électrotechnique - wipo.int
La cellule solaire fait donc preuve d'une excellente capacité de piégeage optique des rayons solaires et sa vitesse de recombinaison des porteurs est faible sur le côté arrière.

Thus, the solar cell exhibits excellent optical trapping for solar rays and low recombination rate of carriers on the rear side.

électronique et électrotechnique - wipo.int
L'invention concerne un procédé de traitement thermique d'un segment de silicium monocristallin pour influencer le profil de centres de recombinaison des porteurs minoritaires dans le segment.

A process for heat-treating a single crystal silicon segment to influence the profile of minority carrier recombination centers in the segment.

électronique et électrotechnique - wipo.int
L'objet de la présente invention est de pourvoir à une structure qui peut supprimer la recombinaison des porteurs survenant avec la photo-irradiation des semi-conducteurs en film mince ou massifs et faciliter leur extraction vers les électrodes.

The purpose of the present invention is to provide a structure wherein recombination of carriers arising with irradiation of thin-film or bulk semiconductors by light can be suppressed and extraction to electrodes is made easy.

technologie et réglementation technique - wipo.int
Ceci permet la fourniture d'une cellule solaire multi-puits quantique de telle sorte que la recombinaison des porteurs de charge générée par absorption de lumière est inhibée, et une efficacité de conversion photoélectrique élevée est obtenue.

This allows for the provision of a multi-quantum well solar cell such that recombination of carriers generated by light absorption is inhibited and high photoelectric conversion efficiency is achieved.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Une cellule solaire multi-puits quantique est fournie à faible coût, de telle sorte que la recombinaison des porteurs de charge générée par absorption de lumière est inhibée, et une efficacité de conversion photoélectrique élevée est obtenue.

Provided at low cost is a multi-quantum well solar cell such that recombination of carriers generated by light absorption is inhibited and high photoelectric conversion efficiency is achieved.

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