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Dictionnaire français - anglais

défaut d'empilement

stacking fault

électronique et électrotechnique - acta.es iate.europa.eu

La présente invention concerne une tranche épitaxiale de SiC ayant une densité de surface réduite d'un défaut d'empilement, et un procédé de fabrication de celle-ci.

The present invention relates to a SiC epitaxial wafer with a reduced surface density of a stacking fault, and a method for manufacturing the same.

électronique et électrotechnique - wipo.int

La feuille d'acier selon la présente invention peut avoir une structure austénitique à température ambiante, et une énergie de défaut d'empilement qui peut être efficacement ajustée par ajout de chrome et d'azote.

The steel sheet of the present invention may have an austenite structure at room temperature, and stacking fault energy which can be effectively adjusted by adding chromium and nitrogen thereto.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int

Ladite tôle d'acier contenant de l'azote à haute teneur en manganèse permet de produire une phase austénitique à température ambiante, l'énergie de défaut d'empilement étant régulée efficacement par addition de chrome et d'azote.

The high manganese nitrogen-containing steel sheet according to the present invention produces an austenite phase at room temperature, in which the stacking fault energy is effectively controlled by adding chrome and nitrogen.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int

En résultat, le nombre de défauts ponctuels diffusant la lumière (LPD) (générés par un défaut d'empilement (SF)) générés sur la surface d'une tranche de silicium épitaxial en raison du SF est sensiblement réduit.

As a result, the number of LPDs (light point defects) (generated by an SF (stacking fault)) generated on the surface of an epitaxial silicon wafer due to the SF is significantly reduced.

électronique et électrotechnique - wipo.int

Il est en outre préférable que la structure multicouches semi-conductrice de nitrure de groupe III ne comprenne aucun défaut d'empilement ni aucune dislocation traversante produit à partir de la face de croissance du substrat de GaN.

It is further preferable that the group III nitride semiconductor multilayer structure does not include any stacking fault nor threading dislocation produced from the growth face of the GaN substrate.

électronique et électrotechnique - wipo.int

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Plastic deformation of ii-vi compounds with sphalerite structure : example znse, znte

... Les mesures de largeur de dissociation permettent de calculer l'énergie de défaut d'empilement....

... From the measured dissociation width the stacking fault energy is calculated....

général - core.ac.uk -

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I.contribution à l'étude de la propagation des fautes d'empilement dans les métaux cubiques à faces centrées

... On montre que les dipôles créés à la traversée des arbres doivent empêcher la formation de défauts ponctuels lors de la déformation ; ils doivent se réunir peu à peu en plus grands dipôles et permettre finalement la multiplication du défaut d'empilement quand celui-ci a pris une extension suffisante...

... For an isolated stacking fault, a frictional force is deduced mainly due to cutting through the attractive trees, proportional to the square root of the density of the network and sufficient ...

général - core.ac.uk -

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Tem observations of defects in biotite and their relationship to polytypism

... Chaque rotation de la dislocation reproduit un défaut d'empilement (R)....

... Each rotation of the dislocation ledge repeats a stacking fault (R)....

général - core.ac.uk -

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Effect of stacking fault energy on mechanism of plastic deformation in nanotwinned fcc metals...designed for Cu, we have developed a series of potentials that provide essentially constant values of all significant (calculated) materials properties except for the intrinsic stacking fault energy, which varies over a range that encompasses the lowest and highest values observed in nature....

général - core.ac.uk - PDF: lib.dr.iastate.edu

On the "stacking fault" in copper...results of a perturbed gamma-gamma angular correlations experiment on In-111 implanted into a properly cut single crystal of copper show that the defect known in the literature as "stacking fault" is not a planar faulted loop but a stacking fault tetrahedron with a size of 10-50 Angstrom

PDF: www.loc.gov

Stacking fault energy in high manganese alloysStacking fault energy of high manganese alloys (marked as TWIP and TRIPLEX) is an important parameter determining deformation mechanism type realized in above mentioned alloys....

PDF: doaj.org

The behaviour of stacking fault energy upon interstitial alloyingAbstract Stacking fault energy is one of key parameters for understanding the mechanical properties of face-centered cubic materials....

PDF: link.springer.com

Transmission electron microscopy study of stacking-fault trapezoids and stacking-fault tubes in znse/gaas(001) pseudomorphic epitaxial layersUsing the classical stacking-fault pyramid as an internal reference, the fault planes and stair-rod dislocations in stacking-fault trapezoids and stacking-fault tubes in pseudomorphic ZnSe/GaAs(001)...

PDF: www.scopus.com

Synonymes et termes associés français

défaut de comparution

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défaut

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insuffisance

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paille

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Défaut

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bogue

[...]

carence

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imperfection

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non-fonctionnement

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déficience

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défaillance

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erreur

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Exemples français - anglais

défaut d'empilement épitaxial

epitaxial stacking fault

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

Traductions en contexte français - anglais

Cet élément unitaire intègre un élément de détection de défaut pouvant détecter facilement un défaut d'empilement lorsque les éléments unitaires sont empilés.

The unit element includes an error detection part which can easily detect an error in stacking when the unit elements are stacked.

industrie mécanique - wipo.int

L'aluminium a une énergie de défaut d'empilement d'environ 200 mJ / m2.

Aluminium has a stacking-fault energy of 200 mJ/m2.