La base de commutateur de BJT peut être polarisée de manière externe et le fonctionnement du BJT peut être obtenu par l'intermédiaire d'une broche unique reliée à l'émetteur du BJT.
The base of BJT switch may be biased externally and the operation of the BJT may be through a single pin to the emitter of the BJT.
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La base du BJT peut recevoir du courant généré par la tension d'alimentation pour commander le fonctionnement du BJT.
A base of the BJT may receive current generated from the supply voltage to control operation of the BJT.
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Le BJT comporte un émetteur en polysilicium.
The BJT has a polysilicon emitter.
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Le circuit bistable comprend un premier transistor BJT (Q19) du type PNP et un deuxième transistor BJT (Q12) du type NPN.
The bistable circuit comprises a first BJT transistor (Q19) of the pnp type and a second BJT transistor (Q12) of the npn type.
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Le BJT peut être commuté en mode passant ou bloqué à partir d'un dispositif de commande couplé à deux bornes du BJT.
The BJT may be switched on and off from a controller coupled to two terminals of the BJT.
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L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à jonction bipolaire (BJT) en carbure de silicium (SiC) et un SiC BJT (100).
A method of manufacturing a silicon carbide (SiC) bipolar junction transistor (BJT) and a SiC BJT (100) are provided.
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L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à jonction bipolaire (BJT) en carbure de silicium (SiC), et un BJT en SiC (200).
A method of manufacturing a silicon carbide (SiC) bipolar junction transistor (BJT) and a SiC BJT (200) are provided.
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L'invention concerne un transistor à jonction bipolaire (BJT) au carbure de silicium (SiC) et un procédé de fabrication d'un tel BJT au SiC.
A silicon carbide (SiC) bipolar junction transistor (BJT) and a method of manufacturing such a SiC BJT is provided.
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La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à jonction bipolaire (BJT) en carbure de silicium (SiC), et un BJT en SiC.
The present invention relates to a method of manufacturing a silicon carbide (SiC) bipolar junction transistor (BJT) and a SiC BJT.
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L'invention concerne un procédé de formation de transistor bipolaire à jonctions (BJT).
The invention relates to a process of forming a bipolar junction transistor (BJT) that includes forming a topology over a substrate (112).
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L'invention concerne de nouveaux modèles de transistors bipolaires à jonctions (BJT) au carbure de silicium (SiC) et de nouveaux procédés de fabrication de tels BJT au SiC.
New designs for silicon carbide (SiC) bipolar junction transistors (BJTs) and new methods of manufacturing such SiC BJTs are provided.
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La présente invention concerne un procédé de formation de transistor à jonction bipolaire (BJT) dans un substrat à semiconducteur et un transistor BJT formé selon ce procédé.
A process for forming a bipolar junction transistor (BJT) in a semiconductor substrate and a BJT formed according to the process.
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Le circuit amplificateur comprend une paire différentielle de transistors à jonctions bipolaires appariés (BJT) présentant une base commune, un premier BJT de la paire différentielle étant connecté par diodes.
A first BJT of the differential pair being diode-connected.
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Dans encore un autre exemple, un courant de base positif et négatif du BJT peut être commandé indépendamment pour régler la tension d'alimentation de sortie VDD issue du BJT.
In yet another example, a positive and a negative base current of the BJT may be independently controlled to regulate an output supply voltage VDD from the BJT.
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De plus, la récupération inverse peut être commandée via l'utilisation d'une source de courant de base inverse sur le BJT après le début de la commutation en mode bloqué du BJT.
Additional, the reverse recovery may be controlled through the use of a reverse base current source applied to the BJT after beginning switching off the BJT.
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