Une amorphisation de pré-implantation à l'aide de l'hélium a des avantages significatifs.
A pre-implantation amorphization using helium has significant advantages.
électronique et électrotechnique - wipo.int
La présente invention a trait à une technique qui permet d'obtenir une pré-amorphisation sélective de régions de source/drain d'un transistor tout en empêchant la pré-amorphisation d'une électrode de grille du transistor.
A technique is presented which provides for a selective pre-amorphization of source/drain regions of a transistor while preventing pre-amorphization of a gate electrode of the transistor.
électronique et électrotechnique - wipo.int
Dans certaines exécutions, on effectue un implant de pré-amorphisation dans le substrat de silicium avant sa co-implantation de carbone et de dopant.
In certain embodiments, the pre-amorphization implant is performed on the silicon substrate prior to implanting the silicon substrate with carbon and a dopant.
électronique et électrotechnique - wipo.int
Des modes de réalisation donnés à titre d'illustration incluent la formation d'un matériau de blocage d'implant de pré-amorphisation sur l'électrode de grille.
Illustrative embodiments include the formation of a pre-amorphization implant blocking material over the gate electrode.
électronique et électrotechnique - wipo.int
L'invention concerne un procédé permettant de produire des jonctions ultra-minces pour des transistors PMOS de façon à rendre superflus les implants de pré-amorphisation.
A method of producing ultra shallow junctions (104) for PMOS transistors, which eliminates the need for pre-amorphization implants, is disclosed.
électronique et électrotechnique - wipo.int
L'invention concerne des procédés et des composés à utiliser comme matériaux sources pour une implantation de pré-amorphisation dans la formation de jonctions ultrasuperficielles.
Compounds and methods for use as source materials for pre-amorphization implantation in the formation of ultra-shallow junctions.
électronique et électrotechnique - wipo.int
La présente invention concerne un procédé amélioré de recristallisation par amorphisation/matriçage (ATR) destiné à former des substrats et des structures de dispositifs semi-conducteurs à orientation hybride.
The present invention provides an improved amorphization/templated recrystallization (ATR) method for forming hybrid orientation substrates and semiconductor device structures.
électronique et électrotechnique - wipo.int
L'invention porte sur un système d'implantation d'ions au plasma servant à mettre en oeuvre un procédé d'implantation sans dopage du type implantation à pré-amorphisation ou à alternances de contraintes.
A plasma ion implantation system is used to perform a non-doping implantation process such as a pre-amorphization implantation process or a strain altering implantation.
électronique et électrotechnique - wipo.int
On supprime ainsi les effets de ladite couche d'oxyde formée au cours de cette implantation d'ions en vue d'une amorphisation préalable, et on peut ajuster avec précision la dose effective.
The effects of the oxide film formed during ion implantation for pre-amorphization is thus suppressed and effective dose can be accurately controlled.
électronique et électrotechnique - wipo.int
Les procédés selon l'invention entraînent une amorphisation plus complète, une solubilité accrue, un chargement et une stabilité de médicament par rapport à des procédés typiques d'amorphisation et de l'art antérieur.
The methods of the invention result in more complete amorphization, increased solubility, drug loading and stability as compared to typical amorphization or literature methods.
santé - wipo.int
Le substrat est implanté en continu à l'aide d'une implantation à débit de dose élevé, continue, conduisant à une accumulation de défauts efficace, à savoir une amorphisation, tout en supprimant l'autorecuit dynamique.
The substrate is continually implanted using continuous high dose-rate implantation, leading to efficient defect accumulation, i.e., amorphization, while suppressing dynamic self-annealing.
électronique et électrotechnique - wipo.int
La présente invention concerne un procédé d'inertage par amorphisation complète à basse température des matières cristallines siliciques, notamment et particulièrement des amiantes friables, ainsi que les matériaux composites obtenus par ce procédé.
The present invention relates to a method for rendering crystalline silicic materials inert by complete amorphization at a low temperature, in particular friable asbestos, as well as to the composite materials resulting from said method.
politique de l'environnement - wipo.int
Ces nanoparticules sont produites à partir de cellulose amorphe ou par amorphisation de cellulose, hydrolyse ultérieure facultative et par entrée d'énergie dans un milieu contenant de l'eau après ou pendant la dispersion.
These nanoparticles are produced from amorphous cellulose or by amorphization of cellulose, optional subsequent hydrolysis and by input of energy into a water-containing medium after or during dispersion.
chimie - wipo.int
Le matériau cible de pulvérisation cathodique a une composition d'alliage Fe-Co, et produit une amorphisation et une amélioration de la résistance à la corrosion aussi grandes que possible, par addition d'un unique élément.
The sputtering target material has an Fe-Co alloy composition, and achieves amorphousization and improvement in corrosion resistance by addition of a single element as much as possible.
métallurgie et sidérurgie - wipo.int
L'utilisation de la structure à nanofil permet au dispositif de mémoire à changement de phase de libérer sa contrainte après amorphisation par réduction au minimum de la résistance de réinitilisation et de la résistance seuil.
Usage of the nanowire structure permits the phase change memory device to release its stress upon amorphization via the minimization of reset resistance and threshold resistance.
électronique et électrotechnique - wipo.int
La région de limitation de porteuse (56) comprend une région de la couche Si dans laquelle des ions Si ont été implantés à une énergie et une dose suffisantes pour provoquer au moins une amorphisation partielle.
The carrier restrictive region (56) comprises a region of the Si layer in which Si ions have been implanted at sufficient energy and dose to cause at least partial amorphisation.
sciences naturelles et appliquées - wipo.int
