Dictionnaire français - anglais

métallurgie et sidérurgie - iate.europa.eu
Engineering for the atlas semiconductor tracker (sct) end-capThe ATLAS SemiConductor Tracker (SCT) is a silicon-strip tracking detector which forms part of the ATLAS inner detector....
général - core.ac.uk - PDF: gateway.isiknowledge.com
Measurement of the proton structure function $f_{2}$ at very low $q^{2}$ at hera... Information from a silicon-strip tracking detector, installed in front of the small electromagnetic calorimeter used to measure the energy of the final-state positron at small scattering angles, together...
 PDF: core.ac.uk
Measurement of the proton structure function f2 at very low q 2 at hera zeus collaboration... Information from a silicon-strip tracking detector, installed in front of the small electromagnetic calorimeter used to measure the energy of the final-state positron at small scattering angles, together...
Strip tracking measurement and control in hot strip rollingPoor strip tracking is one of the notorious problems threatening process stability in a hot strip mill....
Strip tracking in hot strip mills... As the strip is rolled, unwanted lateral movement, known as strip tracking, can cause the strip to collide with the edge of the mill....

Exemples français - anglais

transports aérien et spatial - techdico
transports aérien et spatial - techdico
transport terrestre - iate.europa.eu
transport terrestre - iate.europa.eu
transport terrestre - iate.europa.eu
transport terrestre - iate.europa.eu
technologie et réglementation technique - iate.europa.eu
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Traductions en contexte français - anglais

Le dispositif de l'invention peut être un système binaire ou tertiaire présentant un alignement de bande de type II.

The device may be either a binary or tertiary system with a type-II band alignment.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Chaque point quantique du deuxième matériau semi-conducteur et le troisième matériau semi-conducteur forment une hétérojonction présentant un alignement de bande de type II. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel dispositif.

Each quantum dot of the second semiconductor material and the third semiconductor material form a heterojunction having a type Il band alignment.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Chaque point quantique du deuxième matériau semi-conducteur et le troisième matériau semi-conducteur forment une hétérojonction présentant un alignement de bande de type II. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel dispositif.

A method for fabricating such a device is also provided.

électronique et électrotechnique - wipo.int


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