Dictionnaire français - anglais

électronique et électrotechnique - acta.es
Le dépôt par pulvérisation présente aussi un avantage sur l’épitaxie par jet moléculaire [molecular beam epitaxy (MBE)] à cause de sa vitesse.

Sputter deposition also has an advantage over molecular beam epitaxy (MBE) due to its speed.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)

Publications scientifiques

Photodiode à avalanche gaas/gaalas a superréseau à $\lambda$ = 0,8 $\mu$m; bruit et facteur d'excès de bruit
...0.881~\mu$m.L'objet de cette communication est de présenter une caractérisation électrooptique de prototype de photomultiplicateurs solides du type photodiode Schottky ou PIN GaAs/GaAlAs à multipuits...
... The devices are of MESA structure and have been made by Molecular Beam Epitaxy (MBE) at CHS, Lille....
Europe / recherche et propriété intellectuelle - core.ac.uk -
Croissance et caractérisation de nanostructures de ge et si déposées sur des substrats d'oxyde cristallin à forte permittivité laa1o3
... Les croissances de Si et Ge ont été réalisées par épitaxie par jet moléculaire (MBE), soit à température ambiante suivies de recuits, soit à haute température....
... Si and Ge have been deposited by molecular bearn epitaxy (MBE), at room temperature followed by series of annealings at high temperatures....
général - core.ac.uk - PDF: www.theses.fr
Structure et cinétique de mise en ordre dans des couches minces épitaxiées d'alliage auni : étude par thermodiffractométrie des rayons x
Les progrès de la technique de dépôt par Epitaxie par Jet Moléculaire ont permis d'élaborer des super-réseaux métalliques en couche mince....
...The improvements in the Molecular Beam Epitaxy (MBE) techniques have allowed one to obtain super-lattices in metallic thin layers....
recherche et propriété intellectuelle - core.ac.uk -
Delta-doping in diffusion studies
... Nous avons étudié des échantillons de GaAs obtenus par épitaxie par jet moléculaire dopés par des couches-delta de Si et Al....
... We have studied MBE-grown GaAs samples $\delta$-doped with Si and Al layers...
recherche et propriété intellectuelle - core.ac.uk -
Smd packaged znsse ultra-violet schottky photodetectors with high detectivityWe report the 1/f noise and shot noise studies on molecular beam epitaxy (MBE)-grown ZnSSe UV detectors packaged in SMD leadframes for three detectors with different thicknesses of the active layer and the top electrode pad....
électronique et électrotechnique - core.ac.uk - PDF: www.scopus.com
Structural and electronic properties of nickelate heterostructures... The limit of such a material design is atomic layer-by-layer deposition which was made possible through shuttered molecular beam epitaxy (MBE) growth....
produit végétal / électronique et électrotechnique - core.ac.uk - PDF: elib.uni-stuttgart.de
Iii-v core-shell nanowires for low power electronic devices... This work investigates the growth, morphological, structural and electrical characterization of InAs/GaSb NWs grown selectively by molecular beam epitaxy (MBE) on pre-patterned SiO2/Si.A...
électronique et électrotechnique - core.ac.uk - PDF: juser.fz-juelich.de
Fabrication and analysis of epitaxiallyAbstract—In this work, a whispering gallery mode (WGM) microdisk resonator based on Ge Sn grown by molecular beam epitaxy (MBE) was fabricated and characterized....
général - core.ac.uk - PDF: citeseerx.ist.psu.edu
Observation of 'ghost' islands and surfactant effect of surface gallium atoms during gan growth by molecular beam epitaxyGaN (0001) films grown by molecular beam epitaxy (MBE) were studied using scanning tunneling microscopy (STM)....
général - core.ac.uk - PDF: hub.hku.hk

Synonymes et termes associés français

Exemples français - anglais

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
général - iate.europa.eu
[...]

Traductions en contexte français - anglais

La fabrication du dispositif doit impliquer l'utilisation d'un système de matériau GaAs/AlxGa1-xAs sur un substrat GaAs semi-isolant (340), par épitaxie par jet moléculaire (MBE).

The device is expected to be fabricated using a GaAs/AlxGa1-xAs material system on a semi-insulating GaAs substrate (340) by Molecular Beam Epitacy (MBE).

industrie mécanique - wipo.int
L'invention concerne la croissance directe de graphène sur CO3O4 (111) à 1 000K qui a été effectuée par épitaxie par jet moléculaire à partir d'une source de graphite.

Direct growth of graphene on Co3O4(111) at 1000 K was achieved by molecular beam epitaxy from a graphite source.

électronique et électrotechnique - wipo.int
À le même temps, Xiamen Powerway met l'accent sur le procédé MBE (épitaxie par jet moléculaire) de la plus haute qualité de l'industrie.

At the same time, Xiamen Powerway focuses on the industry's highest quality MBE (molecular beam epitaxy) process.

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Les cellules multi-jonctions sont constituées de plusieurs couches minces qui utilisent l’épitaxie par jet moléculaire.

The cells multi-junctions consist of several thin layers which use the epitaxy by molecular jet.

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Les cellules multi-jonctions sont constituées de plusieurs couches minces qui utilisent l'épitaxie par jet moléculaire.

The cells multi-junctions consist of several thin layers which use the epitaxy by molecular jet.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
L’IPVF vient de développer et de breveter une nouvelle architecture de cellule solaire en matériau III-V par croissance EJM (Epitaxie par Jet Moléculaire).

IPVF has just developed and patented a new solar cell architecture in III-V material by MBE growth (Molecular Beam Epitaxy).

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On a commencé à développer des méthodes d’épitaxie par jet moléculaire, qui permettent de faire croître des cristaux à la vitesse d’un cm2 par seconde.

Molecular jet epitaxy methods have been developed that allow crystals to grow at the rate of one cm2 per second.

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L’IPVF vient de développer et de breveter une nouvelle architecture de cellule solaire en matériau III-V par croissance EJM (Epitaxie par Jet Moléculaire) Cette nouvelle cellu...

IPVF has just developed and patented a new solar cell architecture in III-V material by MBE growth (Molecular Beam Epitaxy).

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Il a reçu en 1943 le prix Nobel de physique « pour ses contributions au développement de l'épitaxie par jet moléculaire et sa découverte du moment magnétique du proton[1] ».

He received the 1943 Nobel Prize for Physics "for his contribution to the development of the molecular ray method and his discovery of the magnetic moment of the proton.

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Il est lauréat du prix Nobel de physique de 1943 « pour ses contributions au développement de l'épitaxie par jet moléculaire et sa découverte du moment magnétique du proton[1] ».

He received the 1943 Nobel Prize for Physics "for his contribution to the development of the molecular ray method and his discovery of the magnetic moment of the proton.

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Il est principalement connu pour son étude des écoulements moléculaires de gaz, et le développement de la cellule de Knudsen, composante de base des systèmes d'épitaxie par jet moléculaire.

He is primarily known for his study of molecular gas flow and the development of the Knudsen cell, which is a primary component of molecular beam epitaxy systems.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
Il a reçu en 1943 le prix Nobel de physique « pour ses contributions au développement de l'épitaxie par jet moléculaire et sa découverte du moment magnétique du proton[1] ».

He was awarded the Nobel Prize for Physics in 1943 "for his contribution to the development of the molecular ray method and his discovery of the magnetic moment of the proton.

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