Dictionnaire français - anglais

électronique et électrotechnique - acta.es
Ce procédé permet de faire passer la dose de dopant à n fois le courant d'implantation avec une énergie par atome dopant équivalent à 1/n fois l'énergie d'implantation d'agrégat, tout en réduisant, par le facteur n, la charge par atome dopant.

This method enables increasing the dopant dose rate to n times the implantation current with an equivalent per dopant atom energy of 1/n times the cluster implantation energy, while reducing the charge per dopant atom by the factor n.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Metal-ion implanted elastomers:analysis of microstructures and characterization and modeling of electrical and mechanical properties... Generally lower implantation energy and higher ion doses lead to better conductivities....
électronique et électrotechnique - core.ac.uk - PDF: infoscience.epfl.ch
High-voltage β-ga2o3 schottky diode with argon-implanted edge termination... With the implantation energy of 50 keV and dose of 5 × 1014 cm−2 and 1 × 1016 cm−2, the reverse breakdown voltage increases from 209 to 252 and 451 V (the maximum up to 550 V) and the ...
 PDF: doaj.org

Publications scientifiques

Self-implantation energy and dose effects on ge solid-phase epitaxial growtha b s t r a c t The effects of implantation energy and dose on Ge solid-phase epitaxial growth kinetics were studied using (0 0 1) Ge substrates self-implanted at energies of 20–150 keV and doses of 1! 1014"2!...
général - core.ac.uk - PDF: swamp.mse.ufl.edu
Effect of ion implantation energy for the synthesis of ge nanocrystals in sin films with hfo2/sio2 stack tunnel dielectrics for memory application...tunnel dielectrics were synthesized by utilizing low-energy (≤5 keV) ion implantation method followed by conventional thermal annealing at 800°C, the key variable being Ge+ ion implantation energy....
général - core.ac.uk - PDF: www.pubmedcentral.nih.gov

Synonymes et termes associés français

Exemples français - anglais

environnement / sciences humaines / sciences naturelles et appliquées / technologie et réglementation technique / transport terrestre - iate.europa.eu
électronique et électrotechnique / analyse économique - iate.europa.eu
analyse économique - iate.europa.eu
[...]

Traductions en contexte français - anglais

La présente invention concerne un procédé d'implantation ionique qui comprend la réduction du niveau d'énergie d'implantation au cours du processus d'implantation.

A method for ion implantation is disclosed which includes decreasing the implant energy level as the implant process is ongoing.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Des ions sont extraits d'une source et accélérés le long d'un chemin d'accélération linéaire à une forte énergie d'implantation (supérieure à 500 keV) avant le balayage ou l'analyse de masse.

Ions are extracted from a source and accelerated along a linear acceleration path to a high implant energy (more than 500 keV) before scanning or mass analysis.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Sous plusieurs variantes, on décrit des procédés sans contact et des systèmes correspondants permettant de déterminer une dose et une énergie d'implantation de dopant ou d'autre composant implanté dans cette pièce.

Several embodiments of the invention are directed toward non-contact methods and systems for determining a dose and an implant energy of a dopant or other constituent implanted in a semiconductor workpiece.

industrie mécanique - wipo.int


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