Le système reçoit des diagraphies de puits provenant de différents puits de forage, ainsi qu'un ou plusieurs choix de graines d'un utilisateur qui identifient un toit de formation à corréler.

Le puits supérieur est converti en puits d'injection ou, en cas d'absence de production à froid, alors un puits supérieur est foré en tant que puits d'injection.

Le trou de forage comprend une section supérieure de trou de stockage (4), un niveau supérieur des caissons (5) et un niveau de remplissage du trou de référence pour les caissons (6).

Un puits de production inférieur est foré dans la formation en dessous du puits supérieur.

Une quantité importante de dopant de puits de semi-conducteur se trouve près de la partie supérieure d'un puits rempli.

Une quantité relativement faible de dopant de puits semi-conducteur se trouve à proximité de la partie supérieure de chaque puits vide.

Une quantité relativement faible de dopant de puits de semi-conducteur se trouve près de la partie supérieure d'un puits vide.

La plaque d'appui (3) est située au-dessus de l'ouverture supérieure de corps de puits (21) et sa surface inférieure est séparée de l'ouverture supérieure de corps de puits (21).

Un conduit à basse impédance relie, en outre, une extrémité supérieure du second puits au premier puits.

Eh ben oui, même pas peur, on aime les défis chez Top Top Top.

Eh bien, je voudrais des fraises sur le dessus, aussi.

Alors je voudrais également des fraises sur le dessus.

Eh bien, j'aimerais aussi des fraises au dessus.

Le système reçoit des diagraphies de puits provenant de différents puits de forage, ainsi qu'un ou plusieurs choix de graines d'un utilisateur qui identifient un toit de formation à corréler.

Un émetteur est ensuite formé sur le dessus de la couche de puits quantique.