Les transistors peuvent être des transistors du type n ou des transistors du type p. Les circuits de verrouillage comprennent au moins un transistor de précharge et au moins un transistor de décharge de borne de sortie.
0– Transistors, autres que les phototransistors
Tous les transistors sont des transistors verticaux.
Les deux transistors restants sont des transistors de chute.
Les transistors sont tous des transistors de type dont l’état normal est actif.
Diodes (à l'exclusion des photodiodes et des diodes émettrices de lumière
Transistors à pouvoir de dissipation ≥ 1 W (autres que phototransistors
Lesdits dispositifs sont, entre autres, des diodes, des transistors bipolaires à jonctions et des transistors à effet de champ.
Des transistors N-MOS et des transistors P-MOS sont disposés par paires.
La présente invention a trait à des transistors MOS (100) et à des procédés de fabrication de transistors MOS.
Cette invention concerne des utilisations nouvelles de multi-transistors (transistors composites) diviseurs de courant.
Cette structure semi-conductrice peut être utilisée pour fabriquer des dispositifs micro-électroniques actifs, tels que des transistors et notamment des transistors à effet de champ et des transistors bipolaires.
Les transistors (HBT,1,1 à HBT,1,N) sont des transistors bipolaires à hétérojonction.
Le circuit de compensation est composé de 7 transistors PMOS et de 8 transistors NMOS.
Cet ensemble de transistors d'isolement est couplé au premier ensemble de transistors à couplage transversal, de sorte que deux trajets d'inversion peuvent être formés entre les transistors à couplage transversal et les transistors d'isolement.
Ce circuit cascode comprend au moins trois transistors, de type MOSFET.
La ou les paires de transistors comprennent de multiples paires de transistors dont les transistors côté sortie fournissent des courants de stimulation aux électrodes correspondantes.
Les transistors (Tx2, Ty2) sont des transistors MOS à structure à triple puits.
Le commutateur est commandé par un circuit d'estimation qui estime si les premier et second transistors sont des transistors d'enrichissement ou des transistors d'appauvrissement.
Des transistors tels que des transistors bipolaires à hétérojonction peuvent être utilisés pour exciter les lasers.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод