L'invention concerne un semi-conducteur capable d'une opération de seuil dynamique grâce à l'utilisation d'un substrat semi-conducteur.
Cette invention concerne un transistor à film mince pouvant fonctionner à seuil bas et ayant une tension de claquage de transistor élevée ainsi que son procédé de fabrication.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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