La couche barrière est une structure de super-réseau à courte période qui comprend de multiples couches de super-réseau.
Dans la couche d'équilibrage de tension mécanique, x et y sont sélectionnés afin de réduire la tension accumulée due à un mauvais alignement dans le réseau des points quantiques et d'une ou de plusieurs couches précédentes du dispositif.
Dans le film mince à base de ZnO, pour la fourniture du type p, la structure de base est une structure à réseau superposé d'une couche à réseau superposé de MgZnO/ZnO (3).
Idéalement, l'oxyde de cérium présente une structure en super-réseau s'apparentant à une structure de fluorine.
La zone d'ouverture alvéole peut comporter une structure super-réseau.
L'invention concerne un système à semi-conducteur (1) qui comporte au moins une structure supraréticulaire (2), ainsi qu'au moins deux contacts (201, 211).
La structure supraréticulaire (2) est conçue de manière à permettre la production d'oscillations de Bloch.
Le problème est désormais résolu par l'utilisation d'une mémoire solide comprenant un film mince à teneur en Ge ayant une structure hétérarchique et un film mince à teneur en Sb ayant une structure hétérarchique.
Les nanoparticules supercristallines offrent l'avantage de posséder une structure en supertreillis telle qu'une structure cubique à faces centrées.
L'invention concerne une diode électroluminescente (DEL) ayant une couche barrière avec structure en super réseau.
La structure à réseau superposé est constituée d'une structure de stratifié d'une couche de MgZnO dopée d'accepteur (3b) et d'une couche de ZnO dopée d'accepteur (3a).
La présente invention concerne un matériau thermoélectrique qui satisfait (MX)1+a(TX2)n et qui possède une structure de super-réseau.
Un film DBR formé de ladite structure (204) peut présenter une excellente réflectance et améliorer la propriété d’émission de lumière.
La couche tampon AlxGa1-xN et la couche de structure à super-réseau AlzGal-zN satisfont la condition x-0,05 ≤ z ≤ x+0,05.
Le concentrateur comprend une structure façonnée en super réseau comportant des couches alternées de matériaux semi-conducteurs de groupe III-groupe V, ou de groupe IV-groupe IV binaires et ternaires.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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