Publications scientifiques

Novos sócrates: parrhesía e epiméleia heautoû nas atitudes dos rappers
...Ce texte porte sur la philosophie en tant qu'expérience de pensée d'après Larrosa, Masschelain, et Kohan. Les notions socratiques de parrhesia et epimeleia heautou sont discutées à partir de L’herméneutique du sujet de Foucault ; et la pratique de la parrhesia en tant que philosophie est discutée à partir de Le gouvernement de

soi

et des autres, afin de dialoguer avec les voix provenant des rues : les rappeurs. Il est soutenu qu'ils sont les nouveaux Socrates. Les dialogues éventuels entre la ville et l'éducation sont analysés. Une réflexion sur l'expérience politique des jeunes est effectuée, étant donné que Socrate fréquentait l'Agora car il considérait la participation politique comme une obligation.
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Europe - core.ac.uk - PDF: revistas.uptc.edu.co
L'éthique du care : les enjeux de la relation de soin asymétrique
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général - core.ac.uk - PDF: savoirs.usherbrooke.ca
Composantes de la capacité d’autosoin de personnes ayant subi un infarctus du myocarde et participant à un programme d’exercices à domicile
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politique tarifaire / recherche et propriété intellectuelle / activité agricole - core.ac.uk - PDF: www.erudit.org
La bonne volonté sanitaire des classes populaires
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recherche et propriété intellectuelle / politique tarifaire - core.ac.uk -
La plainte du chien battu, ou la poésie désenchanteresse (1991-2013) de michel houellebecq
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général - core.ac.uk -

Exemples anglais - français

structure économique - acta.es
général - eur-lex.europa.eu
général - eur-lex.europa.eu
général - eur-lex.europa.eu
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Traductions en contexte anglais - français

Soin de soi

, formulated with 100% organic ingredients, with no bicarbonate and made in made in France.

Soin de soi, formulé avec des ingrédients 100% bio, sans bicarbonate et fabriqué en France.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
Soin de soi, formulated with 100% organic ingredients, with no bicarbonate and made in made in France.

Soin de soi, formulé avec des ingrédients 100% bio, sans bicarbonate et fabriqué en France.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
The process of the invention can be used to create an entire SOI wafer, or be used to create patterned SOI, regions where SOI regions are integrated with non-SOI regions.

Le procédé de l'invention peut être utilisé pour créer une tranche SOI complète, ou pour créer des SOI structurés, régions dans lesquelles les régions SOI sont intégrées à des régions non SOI.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Provided is a semiconductor device of an SOI structure using an SOI substrate (100).

L'invention porte sur un dispositif semi-conducteur d'une structure silicium sur isolant (SOI) utilisant un substrat SOI (100).

électronique et électrotechnique - wipo.int
The semiconductor structure includes an SOI substrate and a MOSFET on the SOI substrate.

La structure semi-conductrice comprend un substrat SOI et un MOSFET sur le substrat SOI.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A semiconductor device is provided with a semiconductor layer (SOI layer) arranged on an SOI substrate, and a gate electrode arranged on the SOI layer.

La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur équipé d'une couche semi-conductrice (couche SOI) disposée sur un substrat SOI, ainsi qu'une électrode de grille disposée sur la couche SOI.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Soi Cowboy – Address: Located between Sukhumvit Soi 21 and Soi 23.

Soi Cowboy est entre les Soi 21 et 23 de Sukhumvit.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
A SOI-plus-jammer measurement may be performed and a SOI-plus-Jammer signal may be obtained when both the jammer signal and the SOI are present.

Une mesure de SOI-plus-brouilleur peut être réalisée et un signal de SOI-plus-brouilleur peut être obtenu lorsqu'à la fois le signal de brouilleur et le SOI sont présents.

industrie mécanique - wipo.int
The SOI materials are suitable for use as substrates in a wide variety of SOI applications.

Les matériaux de type SOI se prêtent à une utilisation comme substrats dans une large gamme d'applications.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The SOI structure thus formed controls Vt variations from the thin SOI thickness and dopants therein.

La structure SOI ainsi formée régule les variations (Vt) d'épaisseur de silicium sur isolant (SOI) peu épaisse et de dopants à l'intérieur.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The structure may be a double gated SOI structure or a fully depleted (FD) SOI structure.

Cette structure peut être une structure silicium sur isolant (SOI) à double grille ou une structure SOI entièrement appauvrie (FD).

électronique et électrotechnique - wipo.int
The STI region includes a first STI layer separating the SOI device from an adjacent SOI device.

La zone STI inclut une première couche STI séparant le dispositif de SOI du dispositif SOI adjacent.

électronique et électrotechnique - wipo.int
An SOI CMOS device with a vertical gate structure is provided, which comprises an SOI substrate, an NMOS region and a PMOS region which are formed on the SOI substrate.

Cette invention concerne un dispositif CMOS du type silicium sur isolant (SOI) à structure de grille verticale, qui comprend un substrat SOI sur lequel sont formées une région NMOS et une région PMOS.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The circuit includes a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate, a lateral PNP bipolar transistor fabricated on the SOI substrate, and a lateral NPN bipolar transistor fabricated on the SOI substrate.

Le circuit comprend un substrat semiconducteur sur isolant (SOI), un transistor bipolaire PNP latéral formé sur le substrat SOI, et un transistor bipolaire NPN latéral formé sur le substrat SOI.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The selective SOI structure of the present invention includes a silicon-on-insulator (SOI) substrate material comprising a top Si-containing layer having a plurality of SOI devices located thereon.

La structure sélective de silicium sur isolant de la présente invention comporte un matériau de substrat de silicium sur isolant comportant une couche supérieure contenant du silicium portant une pluralité de dispositifs de silicium sur isolant.

électronique et électrotechnique - wipo.int


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