L'invention concerne une méthode et un appareil pour la croissance de cristaux de carbure de silicium.
L'invention concerne un procédé permettant de produire des cristaux de carbure de silicium présentant des durées de vie des porteurs minoritaires accrues.
Le matériau utilisé pour la source (1) et permettant de mettre en oeuvre cette technique de sublimation, afin d'obtenir la croissance de cristaux de carbure de silicium, se compose de céramiques de carbure de silicium.
L'invention concerne la régulation de la teneur en azote dans des cristaux de carbure de silicium et, notamment, la réduction de l'incorporation d'azote pendant la croissance par sublimation du carbure de silicium.
La présente invention se rapporte à des procédés permettant de former une structure semi-conductrice, lesdits procédés consistant à utiliser des implants cannelés dans des cristaux de carbure de silicium.
Ensuite, les molécules de sulfure ont été enfermés dans les cristaux de carbure de silicium de condensation.
L'invention porte sur un procédé de production de cristaux en carbure de silicium semi-isolants, de haute qualité, en l'absence de quantités appropriées d'éléments de capture en niveau profond.
Composites de carbure de silicium frittes contenant des cristaux de diamant.
Composites de carbure de silicium frittes contenant des cristaux de diamant.
Le dispositif permettant de produire des monocristaux de carbure de silicium comprend un tel creuset, et le procédé de production de monocristaux de carbure de silicium utilise ce dispositif.
L'invention concerne une méthode et un appareil pour la croissance de cristaux de carbure de silicium.
Le creuset de l'invention comporte un contenant de creuset pour contenir la matière première de carbure de silicium, et un couvercle de creuset sur lequel les cristaux germes sont déposés.
L'invention concerne de grands cristaux uniques de carbure de silicium qui sont tirés dans le four d'un système de sublimation.
La présente invention concerne un procédé de production de monocristaux de carbure de silicium.
L'invention concerne un appareil qui présente une structure à deux chambres pour la croissance de cristaux de carbure de silicium (SiC).
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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