Le précurseur de silicium comporte une liaison N-Si-H, une liaison N-Si-Si et/ou une liaison Si-Si-H. Le précurseur d’azote radicalaire est sensiblement dépourvu d’oxygène inclus.
Une unité de traitement SI extrait des informations SI à partir des paquets SI.
Le rapport du Co au Si (Co/Si) est de 3,5 ≤ Co/Si ≤ 5,0.
Les atomes de Si et de O forment quatre structures de liaison : Si(-O)4, Si(-O)3, Si(-O)2 et Si(-O)1, dans la monocouche.
Une mémoire tampon SI accumule les paquets SI.
La majeure partie du substrat en Si est polie au moyen d'une meule, puis ce substrat est gravé.
La station de base peut envoyer chaque message SI dans la fenêtre SI apparaissant périodiquement pour ce message SI.
Dans sa fabrication, un substrat isolant est muni d'un empilement de couches alternées d'un premier et d'un second matériaux semi-conducteurs, par exemple un empilement Si/SiGe/Si/SiGe/Si/BOX ou Si/SiGe/Si/BOX.
L'invention concerne un piston conçu à partir d'un alliage Al-Si comportant une composition moyenne de Si qui inclut une région d'usure élevée ayant une surface qui est riche en Si par rapport à la composition moyenne de Si de l'alliage Al-Si.
les mots le Système International d'unités sont remplacés par les mots les unités du Système international d'unités ou dans d'autres unités dont l'utilisation dans le cadre de celui-ci est acceptée..
Al et Si ont une relation de Al/Si > 2.
Projet dintérêt commun Interconnexion Slovénie — Italie [Gorizia (IT)/Šempeter (SI) — Vodice (SI)].
La station de base peut déterminer la position de chaque fenêtre SI sur la base d'un indice du message SI, d'une périodicité du message SI, et d'une longueur de fenêtre SI commune pour tous les messages SI.
Si(R1)4 formule (1) R2[Si(R3)3]a formule (2) R4[Si(R5)3]b formule (3)
Le matériau peut être du Si, Si et Ge, Ga, ou GaN.
Dans un mode de réalisation, un film de Si est formé de manière épitaxiale sur un substrat de Si.
Conduite dévacuation de GNL Omišalj — Zlobin (HR) — Rupa (HR)/Jelšane (SI) — Kalce (SI); ou
Selon l'invention, l'agrégat inorganique est un agrégat Si-O-Si ou un agrégat Si-O-M, M pouvant être un élément métallique.
Des exemples de ces catalyseurs sont les tamis moléculaires [CTA]-Si-MCM-41, [CTA]-Si- MCM-48 ou [CTA]-Si-MCM-50.
Le pourcentage pondéral de «Si disponible» est calculé selon l'équation: Si disponible en pourcentage pondéral = pourcentage pondéral de Si - (pourcentage pondéral de Fe + pourcentage pondéral de Mn)/6.
Le mélange est chauffé pour provoquer la liaison du polymère aux corps nucléophiles, en général par des liaisons C-Si, C-O-Si, Si-O-Si ou Si-O-Al, et au substrat par réaction avec le silanol en surface ou d'autres groupes nucléophiles.
La teneur en Cu exprimée comme [Cu] en % en masse et la teneur en Si exprimée comme [Si] en % en masse satisfont à la relation suivante : 62,0 ≤ [Cu] - 3,6 × [Si] ≤ 67,5.
Les équations de composition sont satisfaites Al+Si+Mn+P= 3,9 – 4,45%, Al+Si= 2,5 – 3,8%, Al/Si= 0,65 – 3,1 et Mn/P= 4 – 16.
Le second composé d'organosilicium présente un nombre moyen de liaisons Si-C par atome qui est supérieur au nombre moyen de liaisons Si-C par atome dans le premier composé d'organosilicium.
Le substrat peut être un substrat en Si massif ou un substrat en Si sur isolant.
UE Union européenne, y compris tous ses États membres
La concentration en Si de l'alliage Al-Si imprégnant le compact de la portion tubulaire intérieure (11) diffère de la concentration en Si de l'alliage Al-Si de la portion tubulaire extérieure (12).
L'invention porte sur des résines de silicone comprenant un métallosiloxane qui contient des liaisons Si-O-Métal ou un borosiloxane contenant des liaisons Si-O-B et éventuellement des liaisons Si-O-Si et/ou B-O-B et contenant du soufre.
Dans certains modes de réalisation, le revêtement comprend un polymère ayant une pluralité de liaisons Si-O-Si ; et au moins deux fractions contenant du fluor, chacune fixée à au moins l'une des liaisons Si-O-Si.
L'invention concerne également le procédé de formation d'une couche poly-Si et d'un transistor à film mince poly-Si utilisant ladite couche active poly-Si.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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