La porte peut être une porte sensiblement façonnée, une porte façonnée ou une porte carrousel.
Il n'existe pas de région dopée sous la grille en bande.
Le fond de la grille en V est de préférence arrondie et concave.
Par exemple, une petite porte, telle qu'une porte tubulaire, se refroidit beaucoup plus rapidement qu'une porte en forme de cône.
Par exemple, une petite porte, telle qu'une porte tubulaire, se refroidit beaucoup plus rapidement qu'une porte en forme de cône.
Le fond de la grille en V est de préférence arrondie et concave.
Le thyristor (6) blocable par la gâchette présente une bride-gâchette (12) annulaire en guise d'alimentation de la gâchette et son dispositif de commande possède une plaque conductrice (20) en guise de bornes.
L'invention concerne un thyristor (3) commandé par gâchette, à attaque peu inductive qui comprend un boîtier (30) sensiblement cylindrique avec une anode (33), une cathode (34) et une borne de gâchette (35) en anneau de cercle.
L’entrée à Tana Toraja est marqué par une porte construite en bateau traditionnel en forme de style.
Transistor à effet de champ metal-isolant semi-conducteur en carbure de silicium, présentant une tranchée de grille en U et une couche de migration en carbure de silicium du type n.
L'invention concerne des structures détectrices de couleur et de temps de vol (TOF) possédant un axe y espacé de l'axe x étendant des structures de grille en forme de doigt avec des zones de collecte de source adjacente.
La structure du transistor à effet de champ comprenant l'électrode de grille en forme de T est appliquée sur un transistor à effet de champ à haute mobilité et à contraintes compensées.
Une région de type p est formée sur la couche de migration en carbure de silicium et s'étend jusqu'au dessous de la base de la tranchée de grille en U afin d'empêcher la formation de champs localisés à l'angle de ladite tranchée.
Le sommet et la base de la grille en T peuvent être constitués de couches de deux matériaux différents, tels que du germanium et du silicium.
Un transistor à nano-pilier à effet de champ selon l'invention possède un élément de grille en forme de pilier comprenant une partie biomimétique qui présente divers avantages par rapport aux dispositifs de l'art antérieur.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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