La gravure sélective grave le matériau de chemise plus rapidement que le matériau de passivation.
Lorsqu'un contact est formé par gravure dans la troisième couche diélectrique, la gravure sélective s'arrête à la couche d'arrêt de gravure de diélectrique.
Les procédés ci-décrits utilisent une gravure sélective suite à la formation de la couche de passivation non homogène.
La solution de gravure sélective peut présenter une sélectivité GaAs/AlAs d'environ 600, 1000, 1400 ou plus.
La solution de gravure sélective peut contenir de l'acide succinique, un composé d'hydroxyde d'ammonium et un agent oxydant, tel que le peroxyde d'hydrogène.
La couche révélée par attaque chimique sélective présente un taux d'attaque chimique inférieur au taux d'attaque chimique de la couche d'oxyde enterrée.
L'attaque sélective du dopant peut être électrochimique ou photo-électrochimique.
Après cette première étape de gravure, une seconde étape de gravure est effectuée, laquelle consiste à utiliser un second agent de gravure à haute sélectivité.
Une attaque sélective de l'oxyde contraint (18, 19) est ensuite effectuée.
Dans un mode de réalisation, un processus de gravure consiste notamment à exposer la plaquette à une solution de gravure non sélective tout en écaillant le matériau épitaxial stratifié de la plaquette.
Pendant la première étape de gravure, une solution chimique de gravure est à base de chlore ou de brome effectue une gravure hautement sélective concentrée sur le silicium (12).
Un circuit intégré doté d'une barrière d'isolation à tranchée peu profonde gravée sélectivement ne nécessite pas de couche d'arrêt de barrière d'isolation à tranchée peu profonde.
Un décapage sélectif décape un trou ou une tranchée dans le second matériau diélectrique, de sorte que le décapage s'arrête sur l'élément conducteur ou semi-conducteur et sur le matériau d'arrêt de décapage diélectrique.
La solution de gravure non sélective peut être une solution aqueuse contenant de l'acide sulfurique et du peroxyde d'hydrogène.
Une couche révélée par attaque chimique sélective est disposée entre la couche d'oxyde enterrée et une couche pour un dispositif semi-conducteur composé.
L'agent de gravure sélectif permet ainsi de graver le matériau de la couche métallique interne disposée sous la première couche externe.
Après le premier recuit, on conduit une attaque sélective pour éliminer tout alliage métallique n'ayant pas réagi dans la structure.
La première sous-étape peut être précédée d'une autre sous-étape comprenant un tracé d'attaque chimique sélective dans la couche diélectrique supérieure.
Le procédé comprend également la réalisation de fils épais en utilisant un décapage sélectif, tout en continuant le décapage de l'orifice sur au moins une couche d'arrêt de décapage (22).
On procède ensuite à une seconde opération de gravure dans laquelle la partie restante de la seconde couche est gravée sélectivement à l'aide d'un agent de gravure sélectif.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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