Une table de correspondance est associée à chaque combinaison taille de tranche / largeur de ligne de séparation.

Un chemin de découpe est placé sur une partie circonférentielle extérieure d'un dispositif à semi-conducteur de manière que le chemin de découpe entoure une région d'élément à semi-conducteur.

Une structure destinée à empêcher la formation d'éclats est implantée sur la couche de nitrure semiconducteur le long de cet espace de découpe.

La tranchée (104) est gravée à un endroit de la tranche qui correspond à une ligne de séparation (106).

Sur la périphérie extérieure des puces de semiconducteur, il existe un espace de découpe qui entoure la surface du dispositif semiconducteur.

Le long du chemin de découpe, la couche de nitrure d'aluminium est couverte d'un film qui protège la couche de nitrure d'aluminium contre l'humidité et l'eau.

Dans ce mode de réalisation, un système informatique client transmet au système informatique serveur une taille de tranche, une largeur de ligne de séparation et les dimensions d'une puce.

Les dimensions comprennent une taille d'élément dé qui est fonction de la largeur de la ligne de séparation, de la largeur de l'anneau de garde, de la zone des plots d'entrée/sortie, et de la longueur et la largeur du dé.

Les dimensions d'une ligne de séparation, la largeur d'un anneau de garde, une zone tampon entrée/sortie, et la longueur et la largeur du dé.

Le dispositif selon l'invention a l'avantage de permettre une réduction de la superficie d'une puce par la constitution d'une plage d'ajustement, auparavant située à l'intérieur de la puce, dans l'espace d'une ligne de séparation entre deux puces.