A cet effet, en cas de dépassement d'un courant de saturation prédéterminé, une zone de canal (22) latérale est bloquée et le courant est limité à une valeur inférieure au courant de saturation.
On mesure un courant de saturation Ies1 traversant ledit échantillon (6).
Le courant de saturation (Idsat) et le courant de fuite (Ioff) du transistor sont respectivement mesurés à l'aide de différentes lignes de signaux de mesure.
On abaisse son potentiel au-dessous du potentiel de la masse afin de mesurer son courant de saturation Iis1.
Courant de Saturation (Isat): Niveau maximal, au dessus duquel le courant de sortie dévie de 10% de la linéarité.
le courant IS est appelé courant inverse de saturation.
L'invention concerne un élément non linéaire (par exemple, une diode) à faible courant inverse de saturation.
L'invention concerne un élément non linéaire (par exemple, une diode) à faible courant inverse de saturation, ainsi qu'une diode de puissance ou un redresseur.
Le courant minuscule qui parvient toujours à s’écouler, même lorsque la diode est influencé par les revers, est la saturation actuelle.
La saturation actuelle est le courant minuscule qui parvient toujours à s’écouler même lorsque la diode est influencé par les revers.
L'unité à noyau saturable comporte une de caractéristiques de saturation graduelle et linéaire, chacune ayant un courant de saturation Isat, qui est déterminé afin que IRout > Isat > C31 x dVm, avec une capacité C31 du condensateur d'arrêt.
LE COEFFICIENT ENTRE LES STRUCTURES IGBT ET LES STRUCTURES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES EST AJUSTE DE MANIERE A OBTENIR UN NIVEAU COURANT DE SATURATION ET UNE ZONE DE FONCTIONNEMENT PROTEGEE EN COURT-CIRCUIT DESIRES.
Il existe cependant un courant résiduel de fuite dû aux porteurs minoritaire.
Comparativement aux contacts diffusés habituels, ces contacts se caractérisent par un courant de saturation nettement moins important et conviennent ainsi en particulier pour des cellules solaires de haute performance.
Cette invention offre ainsi un agencement qui limite le comportement de type transistor bipolaire, de façon à stabiliser le courant de saturation et offrir un TFT à fiabilité améliorée.
La présente invention présente ainsi un agencement qui limite le comportement de type transistor bipolaire, afin de stabiliser le courant de saturation et de fournir un transistor à couches minces qui peut améliorer la fiabilité.
Toutefois, un chemin d'accès actuel atteignant une région d'émetteur (4) par le biais de la couche limite (10) et la région de contact Schottky (6) est ajoutée de sorte qu'un courant de saturation augmente et qu'une tolérance de court-circuit diminue.
L'intensité de saturation de ce transistor représentatif (58), en l'occurrence un transistor raccordé par diode, est générée par une source d'intensité (59b).
Lorsque cette source est active, l'intensité de saturation sert également au pilotage des transistors de sortie (T3).
La capacité de diffusion est donc réduite en comparaison à un bac ayant une profondeur uniforme, si bien qu'un courant de saturation est produit à des tensions basses.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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