La ligne de lecture d'une colonne de cellules mémoire d'un réseau est divisée en un premier segment de ligne de lecture, en un premier tampon de lecture et en un deuxième segment de ligne de lecture.
Une ligne droite arbitraire ou une ligne courbe peut être utilisée en tant que forme de ligne de lecture en modifiant la position de lecture en association avec le mouvement de la carte lorsque la carte est placée pour lecture.
Chacun des segments de ligne de lecture présente une charge capacitive moindre qu'une ligne de lecture seule, d'où une faible consommation et des temps d'accès de lecture réduits.
Une première ligne d'écriture est séparée de la première ligne de lecture par un premier isolant, et une deuxième ligne d'écriture est séparée de la deuxième ligne de lecture par un deuxième isolant.
La ligne de lecture peut se présenter sous la forme d'une ligne droite arbitraire ou d'une ligne incurvée selon une modification de la position de lecture en corrélation avec le mouvement de la carte pendant l'introduction de la carte.
String line = client.readStringUntil('\r'); // découpe ligne par ligne
L'enregistrement, aussi bien que la lecture des valeurs d'information, s'effectue à chaque fois, alternativement, ligne par ligne et colonne par colonne.
Une ligne droite ou courbe donnée peut être utilisée en altérant la partie lue tout en associant la forme de la ligne lue au mouvement de la carte lors de l'insertion de la carte.
Lorsque la ligne de lecture (18) et la ligne d'écriture (20) correspondante sont toutes deux placées en position basse, cela permet aux deux ordinateurs (12) en communication de savoir que la communication est terminée.
Les fichiers sont plus volumineux, contiennent moins de métadonnées et doivent être lus ligne par ligne, ce qui diminue les vitesses de lecture.
Lorsqu'un ordinateur (12) place une ligne de lecture (18) en position haute et que l'autre ordinateur place en position haute une ligne d'écriture (20) correspondante, les données sont alors transférées sur les lignes de données (22).
Cette chute est maintenant limitée à un maximum de 5 rangs.
Ici, un courant généré par une tension induite par le mouvement d'un noyau de vortex magnétique circule dans la ligne de lecture.
La présente invention concerne, dans un mode de réalisation, une cellule mémoire comportant une couche à aimantation couplée à une couche métallique et à une ligne de lecture.
Un circuit de lecture mesure la charge stockée dans le condensateur ferroélectrique de la cellule de mémoire ferroélectrique actuellement connectée à la ligne de lecture pour générer une valeur de sortie, la valeur de sortie correspondant à un des états.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод