L'invention porte sur un transistor à puits quantique, qui possède une région de canal de puits quantique au germanium.
Cette structure subit ensuite un thermorecuit qui entraîne le mélange du puits quantique (QWI) dans la structure de puits quantique, et le décalage de l'énergie de band interdite de la couche dudit puits quantique.
En outre, un puits quantique final dans la pluralité de puits quantiques peut définir la région active, où le puits quantique final s'étend sous un puits quantique adjacent dans la région active.
La couche active de puits quantique (104) comporte une pluralité de puits quantiques composés d’une pluralité de couches de puits quantique (121) et de couches limites (122) qui intercalent les couches de puits quantique.
La structure de puits quantique fournit une extraction efficace des ondes porteuses excitées à partir du premier puits quantique.
Un laser résonant (20) à puits de quanta comprend sur un côté ou sur les deux côtés du puits de quanta (22) des barrières semiconductrices incorporées (26) afin d'augmenter la densité de la charge dans le puits de quanta.
La structure de puits quantiques multiples comprend au moins trois régions de puits quantiques et au moins deux régions barrières.
Le puits quantique comporte: un premier puits sous-quantique à première bande interdite; et un second puits sous-quantique à seconde bande interdite différente de la première bande interdite.
La présente invention concerne un nouveau procédé de mélange de puits quantiques permettant de modifier localement les propriétés de bande interdite de structures de puits quantiques à InGaAsP.
La première couche de puits quantique et la seconde couche de puits quantique sont situées entre les deux couches barrières terminales.
Un puits quantique multicouche repose sur la première couche dopée comportant alternativement des puits quantiques de couches et des couches barrières.
La couche quantique comprend du Ge et peut se présenter sous forme soit d'un puits quantique ou de points quantiques.
La présente invention concerne des lasers à semi-conducteur utilisant un milieu de gain à puits quantique, lasers dans lesquels un empilement de puits quantiques est monté en configuration d'épitaxie vers le bas.
Chacun des puits quantiques comprend une couche de puits quantique intercalée entre des couches d'arrêt.
Cette accordabilité est rendue possible par des configurations de puits quantiques asymétriques.
L'invention concerne des modes de réalisation de photodétecteurs à puits quantique.
L'injecteur d'électrons comprend des couches de puits quantique.
En outre, la structure de puits quantiques multiples présente au moins une troisième couche de puits quantiques (230) qui n'est pas dopée et qui est disposée entre deux couches barrières non dopées (260) limitant la troisième couche de puits quantique.
Dans une couche active (5), une couche delta (4) est enfouie dans une seule couche de puits quantique d'InGaN, et la couche de puits quantique est ainsi séparée en deux couches de puits quantique (3A, 3B).
La couche formant thermistor est constituée d'une structure de puits quantique monocristalline (3) qui comporte des puits quantiques et des couches barrières alternées.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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