Dépôt physique en phase vapeur par faisceau d'électrons (EB-PVD
Dépôt physique en phase vapeur (PVD) par faisceau d'électrons (EB-PVD
Dépôt physique en phase vapeur (CVD): par faisceau d'électrons (EB-PVD
Dépôt physique en phase vapeur (PVD) par faisceau d'électrons (EB-PVD
Dépôt physique en phase vapeur par faisceau d'électrons (EB-PVD
Dépôt physique en phase vapeur par faisceau délectrons (EB-PVD
Dépôt physique en phase vapeur (CVD) par faisceau délectrons (EB-PVD
dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d'électrons
dépôt en phase vapeur par procédé physique par évaporation thermique
Ce procédé comprend l'utilisation d'une séquence d'étapes CVD/PVD/CVD/PVD, et est particulièrement efficace dans le remplissage d'éléments de dimensions intermédiaires dans des structures damasquinées ou à damasquinage double.
L’invention concerne un réacteur à pulvérisation par plasma, utilisé dans un procédé de dépôt par plasma (PVD), qui présente une interface améliorée entre une cible de PVD, une bague céramique et une paroi de chambre de PVD.
L'invention concerne un procédé de PVD (dépôt en physique en phase vapeur) et un dispositif de PVD pour générer des couches de DLC (analogue au diamant) présentant une adhérence supérieure et des substrats revêtus selon le procédé de PVD.
Chaque PVD candidat a un champ de vision proche du champ de vision du PVD sélectionné.
Dépôt physique en phase vapeur (PVD) par vaporisation par laser
Dépôt physique en phase vapeur (PVD) par vaporisation par laser
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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