Un circuit de montée et un circuit de descente commandent le n÷ud de sortie en montée ou en descente selon le cas.
Le montage de circuits comprend : une prise jack d'extrémité de ligne audio ; un circuit de rappel vers le niveau haut ; un circuit de rappel vers le niveau bas ; et un amplificateur opérationnel.
Le circuit d'attaque comprend un premier circuit de déblocage, un second circuit de déblocage et un circuit d'excursion basse.
Le circuit d'excursion basse est conçu généralement identique au circuit d'excursion haute pour lier les substrats de ses transistors soit à la tension de sortie, soit à la seconde tension.
La cellule SRAM peut aussi comprendre un troisième et un quatrième transistors PMOSFET qui forment un circuit d'excursion basse.
Le circuit BGR (1) est connecté à un circuit de rappel vers le niveau bas (2) composé d’un élément de résistance (R4) et d’un transistor (Tr4) de type P connectés en série.
Un circuit d'excursion basse (142, 147) est couplé à cette première source de tension et à la borne de commande du transistor de commutation (94).
Lorsque le signal d'entrée reprend la première valeur, l'étage d'excursion basse est réenclenché et replace le premier potentiel à la sortie.
Des circuits de rappel au niveau haut/bas sont prévus sur les bornes auxquelles est connectée une batterie secondaire.
Cette interface comprend une ligne de données unifilaire ainsi qu'un processeur esclave connecté à cette ligne de données et comprenant un circuit d'excursion basse destiné à faire varier la tension sur cette ligne de données.
Le pilote de sortie/arrêt combiné comprend un certain nombre de circuits d'appel vers le haut et un certain nombre de circuits d'appel vers le bas.
Un des circuits d'appel vers le bas a une impédance de sortie fixe.
L'impédance des circuits de conversion est supérieure d'au moins un orde de grandeur à celle des circuits d'excursion.
Les circuits de synchronisation comprennent des circuits d'excursion (pull-up) (24) et des circuits de conversion (pull-down) (26) qui génèrent un train d'impulsions de tension au noeud de synchronisation.
Le premier parcours de signaux comprend deux onduleurs CMOS couplés en série, tandis que le second parcours comprend un onduleur CMOS couplé à un onduleur BiNMOS, ce dernier étant couplé à un circuit d'excursion basse BiCMOS.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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