Current status of ion projection lithographyIon beam lithography is developed in three directions: Focused (FIBL), Masked (MIBL) and Ion Projection Lithography (IPL)....

général - core.ac.uk - PDF: proceedings.spiedigitallibrary.org

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Fabrication of nonperiodic metasurfaces by microlens projection lithography... This method of “template-encoded microlens projection lithography” (TEMPL) enables rapid prototyping of planar, multi-scale patterns of similarly shaped structures with critical dimensions down to ~ 400 nm....

général - core.ac.uk - PDF: dash.harvard.edu

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Critical illumination condenser for extreme ultraviolet projection lithography... The authors have designed a critical illumination condenser system which meets the technical challenges of extreme ultraviolet projection lithography based on a ring field imaging system and a laser produced plasma source....

général - core.ac.uk - PDF: digital.library.unt.edu

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Fabrication of functional biomaterial microstructuresby in situ photopolymerization and photodegradation...PDMS.Here, we introduce an alternate PEG patterning technique that reliesupon the optical sculpting of features by patterned light-inducederosion of photodegradable PEGDA deemed negative projection lithography.We...

général - core.ac.uk - PDF: figshare.com

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Multicusp ion source for ion projection lithography*... Ion Projection Lithography (IPL) is an advance lithographic concept that can provide the solution for the high volume fabrication of sub-100 nm integrated circuits....

général - core.ac.uk - PDF: accelconf.web.cern.ch

Synonymes et termes associés anglais

projection

•

lithographic printing

•

chemical printing

•

screen projection

•

lithography

•

use of stone for printing

[...]

nozzle

•

Exemples anglais - français

ion-projection lithography

lithographie par projection d'ions

électronique et électrotechnique - acta.es

ion beam projection lithography

lithographie par projection ionique

sciences naturelles et appliquées / informatique et traitement des données - iate.europa.eu

ion projection lithography

lithographie par projection ionique

sciences naturelles et appliquées / informatique et traitement des données - iate.europa.eu

[...]

electron projection lithography (EPL)

lithographie par projection de faisceau d'électrons

electron-beam projection lithography

lithographie par projection de faisceau d’électrons

ion-beam projection lithography

lithographie par projection d’ions

Traductions en contexte anglais - français

The invention relates to a cell-projection lithography method, especially direct-write electron-beam lithography.

L'invention s'applique à un procédé de lithographie par projection de cellules, notamment électronique par écriture directe.

électronique et électrotechnique - wipo.int

A projection exposure apparatus (1) for projection lithography comprises a light source (3) for generating illumination light (4).

La présente invention concerne un appareil d'exposition par projection (1) destiné à une lithographie par projection, et qui comprend une source de lumière (3) permettant de générer une lumière d'éclairage (4).

communication - wipo.int

A diffraction limiter (14) can be used to provide projection lithography with certain advantages associated with contact lithography without requiring some of the disadvantages of contact lithography.

Un limiteur (14) de diffraction peut être utilisé pour constituer une lithographie par projection présentant certains avantages associés à la lithographie par impact sans apporter certains des désavantages liés à cette dernière.

communication - wipo.int

The condenser system can be used with a ringfield camera in projection lithography.

Il est possible d'employer des dispositifs de refroidissement, de manière à éliminer la chaleur produite et il est également possible d'utiliser ce système de condenseur avec une caméra à champ annulaire, dans la lithographie par projection.

sciences naturelles et appliquées - wipo.int

A projection lithography objective (30) focuses a mask image onto a silicon wafer.

La moitié du champ optique est supérieure ou égale à 100 mm.

sciences naturelles et appliquées - wipo.int

A projection lithography objective (30) focuses a mask image onto a silicon wafer.

Les quatre groupes de lentilles forment un ensemble ayant un grossissement de 2x.

sciences naturelles et appliquées - wipo.int

An illumination optical unit for EUV projection lithography serves for guiding illumination light to an object field in which a lithography mask can be arranged.

L'invention se rapporte à une unité optique d'éclairage pour une lithographie par projection d'EUV qui sert à guider la lumière d'éclairage vers un champ d'objet dans lequel un masque lithographique peut être disposé.

communication - wipo.int

A method of avoiding the effects of stray light in projection lithography techniques is also disclosed.

L'invention concerne également un procédé permettant d'éviter les effets de lumière parasite dans des techniques de lithographie par projection.

chimie - wipo.int

An EUV light source (2) serves for generating a used output beam (3) of EUV illumination light for a projection exposure apparatus for projection lithography.

La présente invention concerne une source lumineuse EUV (2) qui sert pour produire un faisceau de sortie utilisé (3) de lumière d'éclairage EUV pour un appareil d'exposition à projection pour une lithographie de projection.

communication - wipo.int

A mirror (S) serves for use for guiding illumination and imaging light (3) in EUV projection lithography.

La présente invention se rapporte à un miroir (S) destiné à être utilisé pour guider la lumière d'éclairage et d'imagerie (3) dans une lithographie par projection en ultraviolet extrême.

sciences naturelles et appliquées - wipo.int

The inventive device is particularly useful in EUV-projection lithography in a spectral range around 13 nm.

Cette invention s'utilise de préférence en lithographie par projection de rayons ultraviolets extrêmes dans une gamme spectrale de l'ordre de 13 nm.

communication - wipo.int

An illumination optics (26) for EUV projection lithography is used to guide illumination light (16) to an illumination field (5), in which a lithography mask (7) can be arranged.

L'invention concerne une optique d'éclairage (26) pour la lithographie par projection EUV qui sert à guider la lumière d'éclairage (16) vers un champ d'éclairage (5) dans lequel un masque lithographique (7) peut être disposé.

communication - wipo.int

The photoresist exhibits a very high exposure sensitivity and is thus excellently suited for use in ion projection lithography.

Ladite résine photosensible possède une sensibilité très élevée en cas d'exposition à la lumière et est donc parfaitement appropriée pour la lithographie par projection d'ions.

communication - wipo.int

An illumination optical unit for EUV projection lithography serves to illuminate an illumination field (4) with illumination light from a light source (2).

L'invention concerne une optique d'éclairage destinée à la lithographie par projection EUV et utilisée pour éclairer une zone d'éclairage (4) avec une lumière d'éclairage d'une source lumineuse (2).

communication - wipo.int

An illumination optical unit for projection lithography has a first polarization mirror device (16) for the reflection and polarization of illumination light (3).

Une unité optique d'éclairage destinée à une lithographie par projection comprend un premier dispositif formant miroir de polarisation (16) permettant la réflexion et la polarisation d'une lumière d'éclairage (3).

communication - wipo.int

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Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,

Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,

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