La présente invention se rapporte à un procédé de frittage d'un matériau à base d'azoture de silicium utilisant une technique de frittage sous pression gazeuse.
Un aimant permanent (1) est ensuite fabriqué par frittage de la feuille verte, de laquelle le liant a été enlevé, au moyen d'une technique de frittage sous pression telle qu'un frittage par plasma à étincelles.
Un aimant permanent (1) est ensuite fabriqué par frittage de la feuille verte, de laquelle le liant a été enlevé, au moyen d'une technique de frittage sous pression telle qu'un frittage par plasma à étincelles.
Selon la présente invention, un micro-outil de gaufrage de structures dans un substrat est fixé à un objet, tel qu'une plaque de presse, par frittage, de préférence par frittage sous pression.
On a remarqué que le fait d'employer un frittage par micro-ondes améliore les propriétés de dureté et de ténacité tout en éliminant le recours au frittage sous pression.
Cette invention concerne des procédés permettant de former des diamants polycristallins en utilisant des techniques de frittage assistées et des techniques de frittage à haute température et à haute pression.
Outre le frittage à pression normale, c'est-à-dire le frittage sans pression, il existe également le frittage à chaud et le pressage isostatique à chaud.
Des procédés de préparation du matériau céramique, de manière plus préférée par frittage par micro-ondes, sont également présentés.
Le contenant de réaction assemblé est placé dans un réacteur et est soumis à un procédé de frittage à haute pression, à haute température.
Le segment est constitué d'une pastille formée par moulage par injection et pourvue de plusieurs rainures formées sur sa surface, et de particules de diamant introduites dans les rainures et liées à la pastille par frittage sous pression.
L'invention concerne un dispositif de frittage sous pression à basse température de composants électriques (8) sur un substrat (6), ce dispositif étant pourvu d'un poinçon supérieur chauffant (1, 2, 3) et d'un poinçon inférieur chauffant.
Afin d’obtenir une telle cible de pulvérisation, un mélange de poudres contenant, en rapport de poids, entre 20 % et 80 % d’une poudre de SiO et pour le reste une poudre de TiO2 et/ou une poudre de Ti est soumise à un frittage sous pression.
L’absence de porosité est obtenue par frittage à haute température et haute pression de poudres souvent très fines, préalablement préparées physiquement et chimiquement.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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