couche déposée par pulvérisation de plasma
La couche superficielle est obtenue par oxydation électrolytique au plasma ou projection thermique (par projection au plasma ou par détonation).
La présente invention concerne un système de buse de pulvérisation plasma permettant l'injection uniforme d'une matière dans un flux de plasma.
La fenêtre est conçue pour présenter une transmission de lumière différente pendant différents processus de pulvérisation, tels que la pulvérisation au plasma et la pulvérisation HVOF.
Des exemples de procédé de pulvérisation thermique comprennent un combustible oxygène/air à vitesse élevée, une pulvérisation de plasma atmosphérique et un dépôt chimique en phase vapeur.
Les matériaux comprennent : un revêtement métallique déposé par projection ; mieux encore, un métal thermique ou déposé par projection au plasma ; et idéalement, un métal invar projeté au plasma.
Le revêtement (3) est appliqué de préférence au moyen du procédé de dépôt par projection au plasma.
Utilisé dans un chalumeau de projection au plasma, le flux de plasma généré par le plasmatron présente des caractéristiques améliorées et fournit des revêtements de projection au plasma améliorés.
L'invention est applicable à différents types de torches de pulvérisation thermique, utilisant des processus de pulvérisation de plasma, de projection par combustion, de projection à la flamme oxygène-carburant à haute vitesse (HVOF) ou à faible vitesse.
On utilise des substances catalytiquement inactives comme matériaux de base pour le revêtement par pulvérisation au plasma.
Le revêtement par pulvérisation peut être effectué par pulvérisation par combustion, ou par pulvérisation d'un gaz plasmagène, y compris la pulvérisation par plasma sous vide (VPS), ou par pulvérisation à froid.
On applique la couche catalytique par pulvérisation au plasma sur un support en bande métallique plane.
Fissure entre un revêtement plasma et le substrat.
On y parvient en appliquant un revêtement d'un oxyde métallique mixte par l'intermédiaire d'une pulvérisation par plasma en suspension.
La présente invention concerne une buse hybride (50) destinée à être utilisée dans un pistolet de pulvérisation plasma (8), en particulier pour la pulvérisation plasma de silicium pour former des dispositifs à semi-conducteurs telle qu'une pile solaire.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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