L'invention concerne un élément récepteur de lumière semi-conducteur optique du type groupement à diaphonie améliorée entre canaux et utilisant une jonction pin ou une jonction p-n.
Le redresseur, qui est constitué d'un transistor à couche mince, d'une jonction P-N, ou d'une jonction PIN, a été réalisé en même temps que l'élément de commutation existant.
Des contacts métalliques connectent l'électrode de type P primaire et l'électrode de type N secondaire aux bornes de la deuxième jonction PIN, et l'électrode de type N primaire et l'électrode de type P secondaire aux bornes de la troisième jonction PIN.
Chacun des commutateurs comprend une deuxième jonction PIN entre l'électrode de type P primaire et une électrode de type N secondaire, et une troisième jonction PIN entre l'électrode de type N primaire et une électrode de type P secondaire.
Les moyens de commutation (10) d'un ou plusieurs étages (11) comprend une diode à jonction PIN latérale.
Les interfaces de type II peuvent se trouver ou ne pas se trouver dans une jonction PN ou PIN.
La jonction par broche (100) est un laminé de couche n (13), de couche i (14) et de couche p (15), en séquence.
De plus, dans le dispositif de jonction à broche (10), une couche d'appauvrissement est formée par application d'une polarisation inverse, un courant à effet tunnel étant produit via la couche d'appauvrissement.
L'invention concerne une photopile (10) qui comprend une base (11) du type substrat au silicium et, en superposition séquentielle, une couche électrode en métal (12), une jonction par broche (100), et une couche électrode transparente (16).
L'invention concerne un dispositif de jonction à broche (10) dans lequel une couche semiconductrice de type p ferromagnétique (11) et une couche semiconductrice de type n ferromagnétique (12) sont reliées via une couche isolante (13).
L’âme de nanofil (3) et la couche de gaine (4) forment une jonction pn ou pin qui, lors du fonctionnement, offre une région active (7) pour la génération ou la recombinaison de charges.
Le dispositif de jonction à broche produit une magnétorésistance tunnel en réponse à la magnétisation des deux couches précitées.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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