On utilise à cet effet un catalyseur (1) produit au moyen d'un système d'oxydes mixtes à phase unique ou multiple et une pure structure de perowskite ou une structure mixte de perowskite et de spinelle.
On utilise à cet effet un catalyseur (1) produit au moyen d'un système d'oxydes mixtes à phase unique ou multiple et ayant une pure structure de perowskite ou une structure mixte de perowskite et de spinelle.
L'invention concerne un oxyde de cuivre à valence mixte de structure dérivée de la pérowskite.
La présente invention concerne un oxyde de cuivre à valence mixte de structure dérivée de la pérowskite.
La deuxième couche comporte une perowskite dopée à base de M'-titanate, M' étant un métal alcalino-terreux.
La présente invention concerne une pérovskite électrolytique et un procédé de synthèse de cette pérovskite électrolytique.
Plus précisément, la réaction en phase solide produit des nanofils, des nanocubes pérovskite, et/ou des nanoparticules à base de pérovskite que l'on peut utiliser dans de nombreuses applications électroniques.
La couche présente une structure en pérovskite.
Le semi-conducteur de pérovskite est en règle générale photo-absorbant.
La présente invention concerne un film fin ferroélectrique de pérovskite.
Le matériau poreux peut comprendre une pérovskite poreuse.
L'invention concerne un procédé pour produire des particules de pérovskite hautement cristallines et de grande pureté, ainsi que des particules de pérovskite obtenues selon ce procédé.
Un film ferroélectrique est produit à partir de cristaux de pérovskite.
L'empilement de pérovskite peut être formé d'une première couche d'adaptation (4) constituée d'une premier matériau d'oxyde de pérovskite présentant un première paramètre de réseau.
La pérovskite (84) fait partie de l'électrode de grille.
Une seconde couche de matière getter d'oxygène en oxyde complexe pauvre en oxygène à structure cristalline pérovskite est formée sur la première couche de matière en oxyde complexe à structure cristalline pérovskite.
L'invention concerne des procédés de formation d'un film en pérovskite.
La couche mince peut être un oxyde, un nitrure ou de la pérovskite.
Cette invention concerne une structure du type pérovskite et ses applications pour dispositifs.
Les particules présentent idéalement une structure de grenat ou une structure de pérovskite.
Les matériaux MIEC comprennent des matériaux ayant des structures de perovskite, tels que LSCF.
La trame intrinsèque possède en outre une structure en grenat ou en perovskite.
La poudre de matériau céramique (ABO3) de type pérovskite utilisée dans ladite composition de formation de céramique diélectrique est de préférence une poudre obtenue par voie humide.
La présente invention concerne un film diélectrique (3) ayant un type ABOx de structure de type pérovskite qui se compose d’une superposition de couches ayant chacune un type ABOx de structure de type pérovskite.
Cette suspension de précurseurs de perovskite est vaporisée à froid et lyophilisée.
Or, une roche appelée perovskite se transforme à une température et à une pression donnée en post-perovskite.
Le procédé consiste ensuite à préparer un premier additif présentant une structure pérovskite.
Catalyseur du type pérovskite consistant essentiellement en une composition oxyde métallique.
L'invention concerne une bibliothèque combinatoire de matériaux de double pérovskite adressable en position.
Les couches ferroélectriques (16, 20) sont déposées à l'état pérovskite.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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