L'ensemble photomasque comprend un ensemble pellicule formé sur un cadre pelliculaire et un film pelliculaire couplé audit cadre.
La pellicule comprend un cadre de pellicule, un film de pellicule qui est disposé sur une face d'extrémité du cadre de pellicule, et une couche d'adhésif pour masque qui est disposée sur l'autre face d'extrémité du cadre de pellicule.
L’invention concerne également un film de pellicule, ainsi qu’un masque photographique contenant la pellicule.
Dans cet état, le film de pellicule (11) est fixé au cadre pour pellicule (10).
Un photomasque est couplé à une seconde surface du cadre pelliculaire opposé au film pelliculaire.
L'invention concerne: un cadre de pellicule capable d'inhiber l'apparition d'un voile et présentant peu de défaut de scintillement de surface même sous une lumière concentrée; ainsi qu'un processus pour sa fabrication.
La même année, l’EOS RT, premier reflex AF au monde doté d’un miroir pelliculaire fixe semi-transparent, est dévoilé.
Cette membrane se compose d'un châssis, d'une pellicule membranaire sur une face du châssis, et d'une couche adhésive sur la face intérieure du châssis.
La pellicule est caractérisée en ce qu'elle présente ladite membrane pelliculaire.
Ladite pellicule permet aux rayonnements de passer à travers la pellicule et d'atteindre ledit réticule et elle peut empêcher des particules de passer à travers la pellicule.
Un cadre de pellicule selon l'invention supporte le rebord externe d'une membrane de pellicule, et un revêtement en résine époxy est formé sur la surface du cadre de pellicule.
Dans le mécanisme de mise sous pression de pellicule de la présente invention, la totalité de l'ensemble pellicule est mise uniformément sous pression même lorsqu'une plaque de mise sous pression de pellicule est gauchie ou tordue.
Cette couche adhésive contient une résine fluorocarbonée de type graisseux.
L'invention concerne une membrane pelliculaire présentant une excellente transmission des rayons ultraviolets d'une longueur d'onde inférieure ou égale à 200 nm, une excellente résistance à la lumière (endurance) et une très grande robustesse.
La structure de maintien de la pellicule se compose d'une pièce d'ancrage fixée au substrat du masque et un élément cadre contenant une pellicule.
Ce composant enlève la fine pellicule déposée sur les dents de l'utilisateur.
L'invention porte sur un ensemble masque photographique comprenant un cadre destiné à supporter une pellicule transparente au-dessus d'un substrat du masque photographique et formant un espace fermé pour la pellicule chevauchant le substrat.
De plus, le cadre pelliculaire comprend une paroi intérieure et une paroi extérieure.
L'invention concerne une pellicule [10] antistatique destinée à être utilisée avec une lumière ultraviolet profond.
La présente invention concerne un ensemble masque d'imagerie pour la photolithographie qui comprend un masque d'imagerie, une pellicule de silice fondue synthétique protégeant le masque, et un cadre portant le masque et la pellicule.
La présente invention concerne un récipient de stockage de pellicule capable de réduire une poudre d'abrasion.
La pellicule est ensuite traitée pour isoler les composants cellulaires souhaités.
Grâce à la couche mince d'aérogel, la pellicule est dotée d'une capacité de transmission de lumière améliorée dans l'ultraviolet extrême (EUV).
L'invention concerne en outre une pellicule dont la structure de pellicule et/ou l'adhésif associé sont composées d'un polymère (I) présentant sensiblement le motif (1) suivant.
Cette structure de pellicule comprend une base de pellicule polymérique (3), un réflecteur diélectrique disposé sur la base, ce réflecteur diélectrique étant doté de couches alternées (4, 5) de matériaux diélectriques organiques et inorganiques.
Ainsi, on peut enlever la pellicule de manière appropriée et rapide sans laisser de défauts tels que des rayures sur la surface supérieure du photomasque et on peut économiser du temps sur l'enlèvement de la pellicule.
La pellicule et le réticule peuvent être utilisés dans un système de lithographie.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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