Dans le procédé selon l'invention, un modèle d'oxyde est disposé sur une surface passivée du substrat.
Le procédé comprend en outre l'élimination de la surface passivée de la couche barrière et le dépôt de la couche de cuivre de remplissage d'espace sur la couche barrière.
L'agent de passivation peut comprendre un ou plusieurs groupes fonctionnels secondaires qui permettent la liaison covalente à la surface passivée des molécules sondes et des récepteurs.
Un photocourant est affiché à partir d'au moins un contact électrique qui est formé sur une région dopée dont la surface repose entièrement sur une surface passivée.
L'embouchure obtenue de cette façon est complètement réalisée en titane ou en alliages de titane, et a une surface passivée, à savoir une surface qui est plus résistante à la corrosion.
L'invention concerne des nanoparticules semi-conductrices passivées et des procédés de fabrication et d'utilisation des nanoparticules semi-conductrices passivées.
Les surfaces de particule peuvent également être passivées ou fonctionnalisées.
L’invention concerne une structure semi-conductrice passivée et un procédé associé.
Ceci a pour résultat des nanoparticules de silicium passivées stables.
Des nanoparticules peuvent être produites en chauffant des nanoparticules passivées, ces dernières étant liées de manière covalente à l'intérieur d'une matrice polymère.
La présente invention concerne un procédé de passivation par l'hydrogène de couches semi-conductrices, la couche semi-conductrice (1) à passiver étant passivée de façon électrochimique.
La couche de support est passivée par conversion chimique.
L'invention concerne également un matériau zingué passivé.
Des nanoparticules peuvent être produites en chauffant des nanoparticules passivées, ces dernières étant liées de manière covalente à l'intérieur d'une matrice polymère.
L'invention porte également sur des dispositifs comprenant des polymères organiques PDMS à surface passivée.
L'invention se rapporte à une structure avec substrat de silicium passivé (10) qui comporte une région de surface (14) couverte par une couche de dioxyde de silicium (18) d'une épaisseur ne dépassant pas 1000 Angströms environ.
L'invention convient particulièrement pour la protection d'actionneurs piézoélectriques passivés.
Le procédé peut consister en outre à sélectionner des flocons passivés d'une dimension souhaitée, et à associer les flocons passivés sélectionnés à un support afin d'obtenir le revêtement d'absorption de rayonnements.
Batterie solaire à dos passivé et procédé pour sa fabrication.
L'aluminium passivé est retiré de l'atmosphère inerte et une couche active d'un matériau photovoltaïque ou électroluminescent est formée sur l'aluminium passivé.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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