La couche de NiP sert à passiver la couche de métal.
La couche de passivation peut être utilisée pour passiver le dispositif dans son intégralité.
On recommence au moins deux fois ce cycle de passivation pour passiver le substrat.
Au minimum, la couche est suffisamment épaisse pour passiver la surface.
Au moins l'une des couches organiques peut passiver une surface de la couche de silicium.
La partie (5) de l'élément de couplage n'est pas recouverte d'une couche passive.
Ce gaz permet d'effectuer une passivation de la matière (le cas échéant) et il corrode tout silicium exposé.
La présente invention a trait à l'utilisation de tensioactifs organiques pour la passivation des surfaces de dispositifs à microsystème électromécanique, tels que des micromiroirs numériques.
L'invention concerne un appareil et un procédé de passivation d'articles de céramique poreux contenant des microfissures.
Pour créer une finition claire, une passivation claire est utilisée.
Le matériau composite comprend des nanocristaux semi-conducteurs et des molécules organiques qui passivent les surfaces des nanocristaux semi-conducteurs.
Les carbures métalliques réfractaires cubiques ou cubiques métastables font office de couches d'arrêt pour l'isolation, l'adhérence et la passivation du cuivre dans la fabrication de semiconducteurs.
Un dopant de passivation est implanté dans la région d'interface de façon à passiver les liaisons inachevées à l'intérieur de la région d'interface.
Ladite couche secondaire sert à passiver la surface de chaque réseau sur lequel elle est déposée.
Vous pouvez également traiter le système de distillation par polissage électrolytique de façon à passiver les surfaces de contact.
Le gaz de passivation est appliqué sur une zone périphérique du substrat pour produire la passivation des parois latérales des structures en cours de gravure.
Il a été démontré que la couche peut rendre la surface de GaAs passive, est isolante, et peut produire un condensateur pourvu d'une couche de recouvrement.
La couche essentiellement d'oxygène de gallium initiale sert à la passivation et à la protection de la surface de semi-conducteur composé sous-jacente par rapport à la seconde couche d'oxyde isolante.
LA COUCHE INITIALE ESSENTIELLEMENT AU SULFURE DE GALLIUM SERT A PASSIVER ET A PROTEGER LA SURFACE SEMI-CONDUCTRICE SOUS-JACENTE A PARTIR DE LA SECONDE COUCHE DE SULFURE ISOLANTE.
Une fois le nettoyage réalisé, il passivera les surfaces métalliques et préviendra les dépôts de cuivre.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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