Lorsque la tension entre un MOSFET à canal p (32) et une résistance (42) atteint le seuil d'un MOSFET à enrichissement à canal n (48), le MOSFET à canal p (32) est mis hors tension.

Dans un mode de réalisation exemplaire, les implants accepteurs de type p sont utilisés dans le dispositif à canal p (122), alors que le dispositif à canal n (120) reste sans implant.

Un circuit à impédance numériquement commandée (DCI) commande le circuit de référence à canal p, de manière à déterminer une configuration souhaitée des transistors à canal p à utiliser dans les circuits.

Les deux transistors de passage peuvent être du même type de canal, par exemple, ils peuvent avoir tous les deux des canaux n ou des canaux p, ou ils peuvent être de types de canaux opposés.

Systèmes ouverts, sans porte, ni p-channel ou canal au sol.

L'un des comparateurs est du type à canal N (N39), et l'autre du type à canal P (N36).

Ainsi, à la fois le transistor à canal N et celui à canal P sont conçus pour améliorer le courant de drain, et leurs caractéristiques ainsi que celles de tout le dispositif sont améliorées.

Ceci augmente la mobilité des électrons des transistors à canal n sans affecter la contrainte des transistors à canal p. Le SiGe fournit une résistance inférieur lorsqu'un siliciure est formé.

L'inverseur comprend un transistor à canal P et un transistor à canal N ayant chacun trois électrodes.

Grâce à ce montage, l'intensité injectée dans le premier transistor MOS à canal P (MP32) se symétrise plus précisément dans le second transistor MOS à canal P (MP33).

Un premier transistor à effet de champ à canal P est couplé à un premier port.

On utilise un transistor à effet de champ du type à canal p, afin de constituer le circuit.

Le circuit comprend trois transistors MOS à canal p et trois condensateurs.

Un second transistor à effet de champ à canal P est couplé à un second port.

Il y a deux type de FET, les "Canal N" et les "Canal P".