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Dictionnaire anglais - français

oxide etch

solution d'attaque d'oxyde

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
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The design and fabrication of a silicon membrane for electrostatic actuation... Following lithography, the exposed silicon dioxide on the handle side was etched with a buffered oxide etch, leaving regions of exposed silicon on the handle....
général - core.ac.uk - PDF: digitalcommons.calpoly.edu
Influence of reactor wall conditions on etch processes in inductively coupled fluorocarbon plasmas... Adequate temperature control can increase oxide etch selectivity over nitride and silicon....
 PDF: www.loc.gov
Silicon micromachined waveguide components at 0.75 to 1.1 thz... Through lines are used to characterize the waveguide loss with and without an oxide etch to reduce the surface roughness....
 PDF: oa.upm.es
Semiconductor manufacturing 1 oxide etch rate estimation using plasma impedance monitoringAbstract — The oxide etch rate of plasma etch tools is estimated from plasma impedance monitoring data....
 PDF: citeseerx.ist.psu.edu

solution d'attaque au fluorure

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

attaque préférentielle

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

Synonymes et termes associés anglais

fluoride etch

•

preferential etch

•

anisotropic etch

•

etch

Exemples anglais - français

temperature-controlled oxide etch

attaque de l'oxyde contrôlée par température
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

oxide-etch-rate modification

modification de la vitesse d'attaque de l'oxyde
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

Traductions en contexte anglais - français

An oxide etch reactor etches the oxide down to a nitride etch stop and barrier layer to form a hole through the oxide.

Un réacteur attaque l'oxyde de façon à obtenir une couche d'arrêt et couche barrière d'attaque au nitrure afin de former un trou dans l'oxyde.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int
An oxide etch process practiced in magnetically enhanced reactive ion etch (MERIE) plasma reactor.

L'invention concerne un procédé d'attaque d'oxyde mis en oeuvre dans un réacteur à plasma de gravure ionique réactive activée par champ magnétique (MERIE).

électronique et électrotechnique - wipo.int
A two step process can be employed including a first oxide etch to etch the bulk of the silicon and then a more selective but slower etch.

On peut effectuer un processus d'attaque chimique en deux étapes, la première consistant à attaquer d'abord l'oxyde pour attaquer le substrat de silicium, et la seconde, à procéder à une attaque plus sélective, mais plus lente.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The wet etching may involve applying a vapor of an oxide etch chemical, such as HF and XeF6, or applying a wet oxide etch chemical, such as HF and XeF6.

La procédure de gravure humide peut consister à appliquer de la vapeur d'un produit chimique de gravure d'oxyde, comme HF et XeF6 par exemple, ou à appliquer un produit chimique de gravure d'oxyde, comme HF et XeF6 par exemple.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The remaining polysilicon may be used as an oxide etch mask to remove all of the oxide except in the trenches.

On peut utiliser le polysilicium restant comme masque d'attaque chimique d'oxyde afin d'éliminer tout l'oxyde excepté dans les tranchées.

électronique et électrotechnique - wipo.int
C4F8, Ar and CH2F2 are used for the second high selectivity oxide etch step.

On utilise C4F8, Ar et CH2F2 pour la seconde étape d'attaque chimique de l'oxyde à haute sélectivité.

électronique et électrotechnique - wipo.int
C4F8 and Ar are used for the first high high-rate oxide etch step.

On utilise C4F8 et Ar pour la première étape d'attaque chimique de l'oxyde à vitesse élevée.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Especially for the buried oxide etch on SOI wafers because of the very flat surfaces.

Après le dégagement par gravure de structures MEMS, le frottement constitue un problème bien connu, notamment pour la gravure d'oxyde enterré sur des plaquettes en SOI à cause des surfaces très planes.

technologie et réglementation technique - wipo.int
In another example of the invention, silicon residue is cleaned from internal chamber surfaces before oxide etching to recover the baseline oxide etch rate.

Dans un autre mode de réalisation de l'invention, un résidu de silicium est éliminé des surfaces internes de la chambre avant attaque chimique de l'oxyde afin de retrouver le taux d'attaque chimique d'oxyde de base.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int
The method produces an ILD with a first layer of oxide etch stop (24), a second layer (26) of undoped TEOS oxide, and a final layer of doped silane oxide (30).

Ce procédé permet de produire un diélectrique intercouche (ILD) ayant une première couche d'arrêt d'attaque d'oxyde (24), une seconde couche (26) d'oxyde de TEOS non dopé et une couche finale d'oxyde de silane dopé (30).

électronique et électrotechnique - wipo.int
In the first step, a layer of oxide etch stop (24) and a layer (26) of TEOS oxide are deposited to form a first LI stack.

Dans la première étape, une couche d'arrêt d'attaque d'oxyde (24) et une couche (26) d'oxyde de TEOS sont déposées, de façon à former un premier empilement LI.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A trench spacer is formed after the N-body drive-in step by depositing a layer of oxide and then followed by an oxide etch-back step.

Un écarteur de tranchée est formé après l'étape de diffusion profonde du corps N par déposition d'une couche d'oxyde, suivie d'une étape de décapage de l'oxyde.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A system (fig.5) and methods for selectively etching silicon nitride in the presence of silicon oxide that provide high selectivity while stabilizing silicon oxide etch rates.

La présente invention a trait à un système (fig. 5) et des procédés pour la gravure sélective de nitrure de silicium en présence d'oxyde de silicium assurant une sélectivité élevée tout en stabilisant les taux de gravure de l'oxyde de silicium.

électronique et électrotechnique - wipo.int
An oxide etch process that is highly selective to nitride, thereby being beneficial for a self-aligned contact etch of silicon dioxide to an underlying thin layer of silicon nitride.

Ce procédé d'attaque chimique d'oxyde, hautement sélectif à l'égard du nitrure, est avantageux pour une gravure en contact, à alignement automatique, de dioxyde de silicium, afin d'atteindre une couche mince sous-jacente de nitrure de silicium.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A preselected area in the active region is oxidized and then etched using a dry process oxide etch to remove the oxide in the bottoms of the trenches.

Une surface présélectionnée dans la zone active est oxydée, puis gravées, en utilisant une gravure à l'oxyde par procédé à sec, pour éliminer l'oxyde aux fonds des tranchées.

électronique et électrotechnique - wipo.int


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