La température de recuit ohmique pour les électrodes ohmiques est comprise entre 450 et 500ºC inclus.
L'invention concerne un procédé de production d'un contact ohmique et la structure de contact ohmique obtenue.
La présente invention se rapporte à un procédé de préparation d'un contact ohmique et à un contact ohmique préparé par celui-ci.
On relie un contact ohmique de grille à la grille afin de couper progressivement l'écoulement de courant entre le premier contact ohmique et le deuxième contact ohmique quand on applique une polarisation au contact ohmique de grille.
La présente invention porte sur un contact comprenant une couche ohmique et une couche réfléchissante située sur la couche ohmique.
Un conducteur ohmique est un composant qui vérifie la loi d’ohm :
Conducteur ohmique : conducteur qui obéit à la loi d'Ohm.
Un conducteur ohmique est un dipôle qui respecterait idéalement la loi d’Ohm.
Le conducteur ohmique est un dipôle pour lequel la loi d’Ohm s’applique.
Un conducteur ohmique est un composant qui vérifie la loi d’ohm :
L'invention concerne également un contact ohmique en carbure de silicium.
On crée un premier contact ohmique sur la quatrième couche épitaxiale et un deuxième contact ohmique sur la surface inférieure du substrat.
La présente invention porte sur une interface semi-conducteur/métal avec contact ohmique.
Une couche de passivation (42) recouvre le contact ohmique et présente une vitesse d'oxydation inférieure à celle du contact ohmique.
L'invention porte sur un disjoncteur à gaz à contact ohmique de réarmement.
La valeur de cette résistance ohmique est détectée à des moments déterminés.
Ce procédé permet d'éliminer les influences de la résistance ohmique sur le résultat des mesures.
Chaque condensateur (14, 15, 34, 35, 36, 37) est associé à une résistance ohmique.
Dans la cascade de mesure, le condensateur situé en haut est contourné par une résistance ohmique (R1).
La résistance de rayonnement plus la résistance ohmique (0% chose this)
valeur ohmique ramenée à l'un des enroulements
La résistance R1 est la résistance principale à faible valeur ohmique.
Une resistance a faible valeur ohmique (27), montee egalement en serie avec le moteur, echantillonne de maniere continue le courant de la charge.
La présente invention concerne un système de détection magnétorésistant comportant des éléments de résistance qui changent en valeur ohmique en présence du champ magnétique d'un courant à mesurer.
Si la valeur ohmique de résistance choisie est supérieure à la valeur conseillée, le temps de freinage va se rallonger.
Le procédé de l'invention permet de former des contacts ohmiques et des contacts Schottky.
Dans la branche de réinjection, seules des résistances ohmiques sont montées.
Ce procédé permet d'obtenir à la fois des contacts de Schottky et des contacts ohmiques.
Le transistor au GaN à mode d'enrichissement peut également comprendre une plaque de champ faite d'un métal ohmique, un métal ohmique de drain, un métal ohmique de source et la plaque de champ étant formés par un processus à masque photographique unique.
Conducteur ohmique : conducteur qui obéit à la loi d'Ohm.
impédance de court-circuit d'une paire d'enroulements
L'électrolyte de pontage ohmique préféré est l'iodure de postassium.
Cette invention concerne un procédé de formation d'une électrode ohmique 4H-SiC de type P, et une électrode ohmique formée par ce procédé.
La structure selon l'invention peut résister au recuit tout en conservant des caractéristiques ohmiques.
Le film plastique conducteur constitue une résistance à haute impédance.
La première couche métallique ohmique est en contact avec la seconde couche métallique ohmique au niveau d'une jonction qui constitue la barrière de Schottky de la diode à barrière de Schottky.
Le commutateur bidirectionnel (2) comporte une première borne de grille (G1), une seconde borne de grille (G2), une première borne ohmique (S1), et une seconde borne ohmique (S2).
L'électrode ohmique de type p contient du nickel, de l'aluminium, du silicium et un alliage de carbone, et l'électrode ohmique de type n contient du titane, du silicium et un alliage de carbone.
Dans le troisième état, une connexion électrique bidirectionnelle est réalisée entre la première borne ohmique (S1) et la seconde borne ohmique (S2) sans utiliser de diode.
Sous l'effet du recouvrement brusque, le transistor peut permuter de son état normal à valeur ohmique élevée vers un état à valeur ohmique peu élevé pour assurer la protection contre les décharges électrostatiques.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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