A cet égard, la couche LEG est formée par croissance cristalline en utilisant un matériau azoté organique en tant que source d'azote.
Selon ce procédé, lors de l'introduction du silicium et de l'oxygène est introduite l'azote au moyen d'un matériau précurseur de silicium organique.
Le précurseur contenant du silicium et le précurseur contenant de l'azote énergisé sont amenés à réagir dans la chambre de dépôt chimique en phase vapeur pour déposer un matériau de silicium-carbone-azote doué d'écoulement sur le substrat.
Les procédés selon l'invention peuvent en outre comprendre le traitement du matériau de silicium-carbone-azote doué d'écoulement pour former la couche diélectrique sur le substrat à semi-conducteur.
Le matériau du matériau de carbone dopé à l'azote est un maillage de carbone dopé à l'azote.
Le matériau du matériau de carbone dopé à l'azote est un maillage de carbone dopé à l'azote.
Le matériau azoté peut être choisi dans un groupe particulier de polymères azotés et des monomères azotés correspondants.
Le second isolant est dopé avec de l’azote.
Ledit matériau actif à base de silicium est entouré du matériau de carbone dopé à l'azote.
Ledit procédé consiste à combiner un composé contenant de l'azote avec un matériau non carbonisé contenant de l'azote et à faible teneur en carbone.
Selon ce procédé, un composé contenant de l'azote est combiné avec un matériau contenant du charbon non carbonisé pauvre en azote.
Une matière d'alliage à base de terres rares-fer-azote est produite par chauffage de la matière d'alliage à base de terres rares-fer (5) dans une atmosphère d'azote.
De préférence, le précatalyseur contient en outre un matériau de stockage de l'oxyde d'azote.
Cette matière contient du silicium, de l"oxygène, de l"azote et également du deutérium.
Le matériau comporte des impuretés d'oxygène, d'azote et de carbone.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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