L'invention se rapporte à un procédé de fabrication de dispositifs d'échelle microscopique, de dispositifs d'échelle nanométrique, ou de dispositifs présentant à la fois des caractéristiques d'échelle nanométrique et microscopique.
L'invention concerne un agrégat moléculaire à nanoéchelle, du type nanofil conducteur.
Les matériaux traités par procédé électrostatique peuvent être à l'échelle micro ou nano.
L'invention concerne un mécanisme nanométrique adaptatif comprenant un coupleur et une pluralité de nanotubes permettant un mouvement nanométrique par rapport à un composant relié à la terre.
L'invention concerne par ailleurs un spinelle à l'échelle nanométrique formé par autoassemblage.
La présente invention concerne également des procédés pour préparer les nanoparticules.
Les vides en forme de canaux peuvent présenter des zones de section transversale à l'échelle micrométrique ou à l'échelle nanométrique.
Les matériaux peuvent être facultativement amplifiés avec des technologies/composants de la micro-échelle et/ou de la nano-échelle.
L'invention concerne des nanoparticules moulées dans des moules d'échelle nanométrique à partir de matériaux polymériques non mouillants à faible énergie de surface.
L'invention démontre l'efficacité d'un jeu désordonné d'échelle nanométrique pour une commutation à rendement et à mémoire élevés tout en atténuant la tâche ardue de configuration à l'échelle nanométrique.
L'invention concerne un appareil et un procédé permettant de gérer des fluides à des débits nanométriques.
L'invention concerne un dispositif à l'échelle nanoscopique et un procédé de fabrication et d'utilisation.
Après le transfert des motifs nanométriques dans le substrat, des ouvertures nanométriques présentant une largeur inférieure à 50 nm sont créées dans le substrat.
Une technique pour faire correspondre l'indice de réfraction de la matrice en plastique avec les nanoparticules en incorporant des nanoparticules de dioxyde de titane est également fournie.
L'invention concerne des structures nanométriques comprenant des nanostructures formées à la surface d'un substrat, et un matériau de base appliqué entre les nanostructures.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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