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Dictionnaire anglais - français

NAND

function

fonction NON-ET
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
When they are equal, the output is zero, which is also used to produce the NAND function.

Lorsque la somme d'énergie d'entrée est supérieure à l'ensemble faisceau de polarisation, la sortie change de phase et lorsque ces deux valeurs sont égales la sortie vaut zéro et sert également à produire la fonction NON-ET.

sciences naturelles et appliquées - wipo.int

NAND

operation

fonction de Sheffer
informatique et traitement des données - iate.europa.eu
incompatibilité logique
informatique et traitement des données - iate.europa.eu
NAND operation
opération NON-ET
informatique et traitement des données - iate.europa.eu
The NAND operation is a logical operation on two logical values.

L'opération NON-ET est une fonction logique sur deux valeurs logiques.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
In Boolean algebra and digital electronics it is known as the NAND operation.

En algèbre booléenne et en électronique numérique, il est connu sous le nom de l'opération NON-ET.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)

NAND

circuit

circuit NON-ET
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
The excitation circuit (10) includes a NAND circuit (L1), and first and second inverters (L2, L3) which are dependently connected.

Le circuit d'excitation (10) comprend un circuit NON-ET (L1) et des premier et deuxième inverseurs (L2, L3) reliés entre eux.

électronique et électrotechnique - wipo.int

nand

-circuit

circuit non-etr
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

NAND

gate

circuit NON-ET
informatique et traitement des données - iate.europa.eu
The NAND gate accepts a cascade input from another cell, and the cascade output of the NAND gate is provided as a cascade input to the other cell to facilitate the efficient implementation of cross-coupled devices.

Le circuit NON-ET accepte une entrée en cascade d'une autre cellule et transmet sa sortie en cascade comme entrée en cascade à l'autre cellule pour faciliter la mise en oeuvre efficace de dispositifs interconnectés.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A very fine-grained gate array cell is provided that includes a two-input logic device and a cascade NAND gate with buffered output.

L'invention concerne une cellule de circuit intégré prédiffusé à grain très fin, qui comprend un dispositif logique à deux entrées et un circuit NON-ET en cascade muni d'une sortie isolée.

électronique et électrotechnique - wipo.int
NAND gate
porte NON-ET
informatique et traitement des données / électronique et électrotechnique - iate.europa.eu acta.es
The latch itself includes a three input NAND gate and a two input NAND gate.

Par ailleurs, le verrou lui-même comprend une porte NON-ET à trois entrées et une porte NON-ET à deux entrées.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A decode circuit is configured by using no NAND gates but using pass transistors.

La présente invention concerne un circuit de décodage configuré en n'utilisant aucune porte NON-ET mais en utilisant des transistors passants.

électronique et électrotechnique - wipo.int
This property makes the NAND gate crucial to modern digital electronics, including its use in NAND flash memory and computer processor design.

Cette propriété rend la porte NON-ET cruciale pour l'électronique numérique moderne, y compris son utilisation dans la mémoire flash NAND et la conception d'un processeur d'ordinateur.

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)
A NAND gate NANDs the most significant bit (MSB) values provided from the respective memories.

Une porte NON-ET traite les valeurs du bit de poids fort fournies par les mémoires respectives.

électronique et électrotechnique - wipo.int
In an embodiment, parallel transistors are coupled between a NAND gate and a supply voltage.

Dans un mode de réalisation, des transistors parallèles sont couplés entre une porte NON-ET et une tension d'alimentation.

électronique et électrotechnique - wipo.int

NAND

element

circuit NON-ET
informatique et traitement des données - iate.europa.eu
porte NON-ET
informatique et traitement des données - iate.europa.eu

diode

NAND

gate

porte NON-ET à diode
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

MOS

NAND

gate

porte NON-ET à MOS
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

Publications scientifiques

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Etude des cellules mémoires résistives rram à base de hfo2 par caractérisation électrique et simulations atomistiques
Among non-volatile memory technologies, NAND Flash represents a significant portion in the IC market and has benefitted from the traditional scaling of semiconductor industry allowing its high density integration....
Europe / activité agricole / recherche et propriété intellectuelle - core.ac.uk - PDF: core.ac.uk
▷
Estimation de performances et de consommation énergétique de systèmes de stockage à base de mémoire flash dans les systèmes embarqués
... This work targets the performance and power consumption evaluation of the secondary storage service in an embedded operating system using NAND flash memory....
Europe - core.ac.uk - PDF: tel.archives-ouvertes.fr
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Quality estimation of synthesis methods of fractional brownian motion
... Five synthesismethods among the most well known are implemented : the midpoint displacement method, the synthesis by inverse fast Fourie rtransform, the simulation by Cholesky decomposition of the increments covariance matrix, the Weierstrass–Mandelbrot functio nand finally a wavelets synthesis ...
... A l'aide de ces tests, cinq méthodes de synthèse parmi les plus connues sont évaluées: la méthode du «midpoint displacement», la la synthèse par transformée de Fourier rapide inverse, la génération par décomposition de Cholesky de la matrice de covariance des incréments, la synthèse par la fonction de Weierstrass-Mandelbrot et enfin une synthèse par ondelettes...
général - core.ac.uk - PDF: core.ac.uk
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L'accès à l'enseignement primaire en france et en angleterre : dispositions et processus de cooptation pour occuper un emploi féminin
... In other words, currently, the processes of reproduction of this profession in both countries, on the one nand, imply individuals whose characteristics, when combined, place them in the field of attraction of the recruiting institutions, and on the other hand, imply a procedure of...
... La première partie de cet article montre quelles sont les propriétés sociales communes aux enseignantes du primaire de ces deux pays qui structurent aujourd'hui d'une certaine manière l'accès à cette profession...
général - core.ac.uk -
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Hybrid hash index for nand flash memory-based storage systems?????? NAND ????????? ???????????? ?????? ?????? ??????, ????????? ??????, ?????? ????????????, ????????? ?????? ????????? ????????? ?????????????????? ????????? ?????? ????????? ??????...
général - core.ac.uk - PDF: repository.hanyang.ac.kr
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Nand flash memory characterizationThe NAND technology has become a popular research area and implementation choice due to its non-volatile flash memory characteristics....
général - core.ac.uk - PDF: escholarship.org
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Evaluation of the radiation susceptibility of a 3d nand flash memoryWe evaluated the heavy ion and proton-induced single-event effects (SEE) for a 3D NAND flash....
général - core.ac.uk - PDF: hdl.handle.net
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Fpga implementation of nand flash wear-levelling algorithm... NAND flash would generate invalid blocks during its manufacturing and using, and the invalid block management is a key point of NAND flash....
général - core.ac.uk - PDF: www.scientific.net
▷
3d nand flash based on planar cellsIn this article, the transition from 2D NAND to 3D NAND is first addressed, and the various 3D NAND architectures are compared....
général - core.ac.uk - PDF: doaj.org

Exemples anglais - français

nand-circuit

circuit non-etr
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

Traductions en contexte anglais - français

In some embodiments, a pair of NAND strings includes an odd NAND string adjacent to an even NAND string.

Dans certains modes de réalisation, une paire de chaînes de NAND comprend une chaîne impaire de NAND adjacente à une chaîne paire de NAND.

informatique et traitement des données - wipo.int
Each NAND flash memory channel comprises a plurality of NAND flash memories.

Chaque canal de mémoire flash NON-ET comprend une pluralité de mémoires flash NON-ET.

informatique et traitement des données - wipo.int
A programming process evaluates NAND strings of a block to detect a defective NAND string, e.g., a NAND string with a defective storage element.

Selon l'invention, un processus de programmation évalue des chaînes NAND d'un bloc afin de détecter une chaîne NAND défectueuse, par exemple une chaîne NAND comportant un élément de stockage défectueux.

informatique et traitement des données - wipo.int
Preferably each memory module includes four NAND clusters (501), each NAND cluster consisting of a flash memory controller (503) and two NAND flash memories (505).

De préférence, chaque module de mémoire inclut quatre blocs NAND (501), chaque bloc NAND étant constitué d'un contrôleur de mémoire flash (503) et de deux mémoires flash NAND (505).

communication - wipo.int
The NAND flash memory device includes a NAND flash memory array defined as a plurality of sectors.

Le dispositif de mémoire flash NAND comprend un réseau de mémoire flash NAND défini comme une pluralité de secteurs.

informatique et traitement des données - wipo.int
A single virtualized ECC NAND controller executes an ECC algorithm and manages a stack of NAND flash memories.

Un contrôleur de NAND à ECC virtualisé unique exécute un algorithme d'ECC et gère une pile de mémoires flash NAND.

informatique et traitement des données - wipo.int
Any of the nonvolatile memory arrays maybe masked programmed ROM arrays, NAND configured flash memory NAND configured EEPROM.

Les ensembles de mémoire rémanente, quels qu'ils soient, peuvent être des ensembles ROM masqués programmés, des ensembles de mémoire flash configurés NAND et des ensembles de mémoire EEPROM configurés NAND.

informatique et traitement des données - wipo.int
A NAND flash memory logical unit.

L'invention porte sur une unité logique de la mémoire flash NON-ET (NAND).

informatique et traitement des données - wipo.int
A shared-bit-line NAND architecture includes one or more pairs of NAND strings, wherein each pair of the one or more pairs of NAND strings shares a common bit line.

Ladite architecture NAND à lignes de bits partagées comprend une ou plusieurs paires de chaînes de NAND, ladite ou chacune desdites paires de chaînes de NAND ayant une ligne de bits en commun.

informatique et traitement des données - wipo.int
Provided is a self-programming method for a file system based on a NAND gate (NAND) Flash memory (FLASH).

L'invention concerne un procédé d'auto-programmation d'un système de fichiers sur la base d'une mémoire flash (FLASH) de grille non-et (NAND).

informatique et traitement des données - wipo.int
The described multi-host NAND flash controller (202) may include host interaction components, host command switching logic (310), and NAND command logic (316) to enable sharing of the NAND flash device (108).

Le contrôleur flash NAND multi-hôte (202) peut comprendre des composants d'interaction hôtes, un circuit logique de commutation de commande hôte (310) et un circuit de commande NAND (316) permettant le partage du dispositif flash NAND (108).

informatique et traitement des données - wipo.int
A NAND flash memory device is disclosed.

L'invention concerne un dispositif de mémoire flash NAND.

informatique et traitement des données - wipo.int
The boosting voltages are applied to the NAND strings of a block while the NAND strings are being inhibited from programming.

Les tensions additionnelles sont appliquées aux chaînes NAND d'un bloc tandis que les chaînes NAND sont inhibées de toute programmation.

informatique et traitement des données - wipo.int
In an array of NAND flash cell blocks, only one NAND flash cell block is selected at a time for programming.

Dans un réseau de blocs de cellule flash NON-ET, un seul bloc de cellule flash NON-ET est sélectionné à la fois pour la programmation.

informatique et traitement des données - wipo.int
Samsung was the first manufacturer to mass-produce 3D NAND flash, under the name Vertical NAND (V-NAND), in 2013.

Samsung a été le premier à produire la flash NAND 3D en masse, en 2013, sous le nom de Vertical NAND (V-NAND).

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)


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Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,

Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,

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