La présente invention se rapporte à un appareil destiné à mesurer la durée de vie d'un porteur minoritaire.
On étalonne lesdits signaux sur le plan de la fréquence et puis on les utilise pour calculer une longueur de diffusion de porteur minoritaire.
L'invention concerne des détecteurs et des réseaux infrarouges au tellurure de mercure-cadmium (HgCdTe) basés sur un porteur minoritaire, et des procédés de fabrication associés.
Une épaisseur de la couche épitaxiale intermédiaire est supérieure à la longueur de diffusion d'un porteur minoritaire dans la couche intermédiaire.
Cependant, le dispositif peut résister à des densités de courant extrêmement élevées du fait de la modulation de conductivité causée par l'injection d'un porteur minoritaire à partir des régions de type p.
On produit ainsi une plaquette (10) ayant une longue durée de vie des porteurs minoritaires.
Cela produit une plaquette (10) à longue durée de vie des porteurs minoritaires.
L'invention porte sur des procédés pour supprimer une dégradation de durée de vie de porteurs minoritaires dans des tranches de silicium.
L'invention concerne un procédé permettant de produire des cristaux de carbure de silicium présentant des durées de vie des porteurs minoritaires accrues.
Les courants appliqués injectent une répartition de densité porteuse minoritaire dans le canal actif (2, 3).
Chaque nanofil (2) comprend un élément barrière (6) à porteurs minoritaires pour minimiser la recombinaison des porteurs minoritaires au niveau du contact avec la deuxième couche d'électrode (8).
L'épaisseur de la couche de catalyseur est inférieure à 60 % de sa distance de diffusion de porteurs de minorité.
Cette invention concerne un dispositif (230) permettant de mesurer la durée de vie de porteurs minoritaires dans un échantillon semi-conducteur (232) au moyen d'un couplage par radio-fréquence.
La combinaison des deux procédés d'absorption augmente sensiblement la durée de vie du porteur de charge minoritaire de la cellule solaire bifaciale.
Les première et deuxième régions de jonction sont espacées l'une de l'autre par pas plus d'une longueur de diffusion de porteurs minoritaires.
Parmi les formes d'exécution des porteurs minoritaires, on peut citer, par exemple, les diodes laser, les diodes émettrices de lumière, les transistors à hétérojonction bipolaire et les cellules solaires.
La deuxième couche (114) constitue une barrière d'énergie potentielle de bande de conduction contre le flux de porteurs minoritaires (électrons) vers la grille (116/205), et est suffisamment large pour empêcher l'effet de tunnel des porteurs minoritaires.
RoadStar est un transporteur d’une minorité qui a toujours été actif dans la communauté d’origine indienne.
La passivation des couches a été évaluée en utilisant la mesure de Quasi-Steady- State Photoconductance (QSSPC).
Je pourrais décrire l'injection de porteurs minoritaires mais je ne savais pas à quoi ressemblait un transistor.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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