Un contact métallique ohmique (702) et un contact métallique émetteur (704) font saillie au-dessus du revêtement polyamide (700) exposant le contact métallique ohmique (702) et le contact métallique émetteur (704).
Ladite structure multicouche comprend un contact métallique placé sur une région active d'un semiconducteur et une extension de contact métallique placée sur le contact métallique.
La couche tampon de contrainte comporte des ouvertures mettant à nu le contact métallique du type p et le contact métallique du type n.
Des plages de soudure métallique (44, 45) formées sur la couche tampon de contrainte sont en contact électrique avec le contact métallique du type p et le contact métallique du type n, par les ouvertures de la couche tampon de contrainte.
Le contact entre les deux rotors (3, 5) a lieu entre un métal fritté à base de fer et un plastique d'ingénierie, ce qui permet d'éviter le bruit produit par un contact métallique.
Exactement deux plages métalliques de contact fusionnent pour donner une seule plage métallique de contact d'amenée qui est plus large que l'une ou l'autre desdites exactement deux plages métalliques de contact.
L'invention concerne une cellule solaire comprenant des doigts métalliques négatifs (401) de contact et des doigts métalliques positifs (451) de contact.
Les doigts métalliques négatifs (401) de contact sont interdigités avec les doigts métalliques positifs (451) de contact.
Le contact métal-métal consécutif produit un phénomène appelé éraillage.
On utilise un contact en métal liquide traîné.
Les charges compressives sont de préférence établies sur des surfaces portantes à contact métal-métal.
Une armure métallique est enroulée autour des gaines en plomb des trois conducteurs, en contact métal contre métal.
La photopile peut comprendre une première couche métallique ayant un premier contact métallique et le premier métal imprimé.
Un matériau de barrière métallique inférieure est formé de façon à produire un contact métal-métal avec la structure de câblage inférieure.
L'invention concerne un procédé pour réduire la résistivité de contact spécifique d'une interface métal-semiconducteur entre un contact métallique et un composé semiconducteur InP.
La substance diélectrique est en contact direct avec une partie de la structure semi-conductrice, une partie du premier contact métallique et une partie du second contact métallique.
Les premier et second éléments de contact sont respectivement formés d'une première bride de contact métallique (210) et d'une seconde bride de contact métallique (220) toutes deux portées directement par ledit support (4, 4.1).
Cette conception permet de réduire le contact métal-métal entre le rotor et l'arbre et donc de réduire le bruit.
Un contact métallique est formé sur la couche de germe.
La photopile peut également comprendre un premier contact métallique, tel qu'un contact métallique à plaquage anélectolytique, au sein d'une zone de contact à travers une première couche diélectrique et sur la zone dopée.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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