Un mode de réalisation du dispositif mémoire comprend un élément de système et un empilement de mémoire couplé à l'élément de système, l'empilement de mémoire comprenant une ou plusieurs couche(s) de puces mémoire.
Un mode de réalisation d'un dispositif de mémoire comprend un empilement de mémoire comprenant un ou plusieurs éléments de puce de mémoire, comprenant un premier élément de puce de mémoire et un élément de système couplé à l'empilement de mémoire.
Un mode de réalisation d'un dispositif de mémoire comprend une pile de mémoire comprenant un ou plusieurs éléments de DRAM (mémoire vive dynamique) ; et un élément de système permettant de commander la pile de mémoire.
Le registre d'empilage comprend une memoire d'empilage (303), un registre d'adresse (304), un registre de comptage (302) interpose entre la memoire d'empilage et les registres de controle du processeurs de donnees.
Selon un ou plusieurs modes de réalisation, une mémoire verticale tridimensionnelle peut comprendre une pile de mémoires.
L'appareil selon l'invention comprend un processeur et une mémoire contenant au moins une pile de mémoire.
Une fréquence de rafraîchissement pour une ou plusieurs parties de l'empilement de mémoire est modifiée au moins en partie sur la base des conditions thermiques estimées pour l'empilement de mémoire.
La présente invention concerne des procédés et un appareil d'inspection d'un paquet de mémoires verticales.
Ladite pile de mémoires peut comprendre des cellules de mémoire et un diélectrique entre des cellules de mémoire adjacentes, chaque cellule de mémoire comprenant une porte de commande et une structure de stockage de charge.
L'invention concerne un empilement de mémoire comprenant un certain nombre de puces mémoires comprenant une puce maître et une ou plusieurs puces esclaves.
Un circuit d'interface couplé à un système hôte est utilisé pour interfacer la pile mémoire avec le système hôte de telle manière que la pile mémoire fonctionne comme un seul circuit intégré DRAM.
Des première et seconde électrodes sont séparées par la pile de mémoire à détection de résistance.
La microprocesseur et sa pile mémoire sont structurellement combinés pour constituer un module d'ordinateur intégré.
Une troisième forme de réalisation fait appel à au moins une pile mémoire comprenant une pluralité de circuits intégrés DRAM.
La présente invention a trait à un procédé et à un appareil permettant d'affecter et de désaffecter efficacement des données entrelacées stockées dans une pile de mémoire.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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