Un circuit de mémoire comprend un dispositif de mémoire active, un dispositif de mémoire inactive et un amplificateur de détection couplé entre le dispositif de mémoire active et le dispositif de mémoire inactive.
Le dispositif de mémoire active et le dispositif de mémoire inactive ont le même type de dispositif de mémoire et le dispositif de mémoire inactive est un dispositif de référence par rapport au courant du dispositif de mémoire active.
La présente invention concerne un dispositif de mémoire et un procédé de fabrication du dispositif de mémoire.
L'ordinateur comprend un dispositif de mémoire et un dispositif de commande connecté au dispositif de mémoire.
Le dispositif de stockage de données peut comprendre un premier dispositif de mémoire, un second dispositif de mémoire et un dispositif de traitement.
La présente invention concerne un procédé de cascade de dispositifs à mémoire, un système de mémoire et un dispositif à mémoire.
Ce dispositif mémoire peut être soit un dispositif mémoire à écriture unique, soit un dispositif mémoire électronique tridimensionnel, soit encore un dispositif comportant les deux types de dispositif mémoire précédents.
Le dispositif mémoire peut être un dispositif mémoire à état simple ou à états multiples.
De préférence, la mémoire flash est une mémoire flash NON-ET.
Les bus de communication maîtres du bus du dispositif mémoire flash connectent le dispositif mémoire flash à la mémoire du dispositif hôte.
Le dispositif d'enregistrement peut être un dispositif de circuit intégré, un dispositif mémoire distinct ou un dispositif ayant une mémoire intégrée.
Le dispositif de prévention des fuites d’informations possède un dispositif de traitement de données, un dispositif de mémoire de fichier, et un dispositif de mémoire de clé.
Le dispositif de mémoire peut comporter des cellules de mémoire.
Le dispositif de mémoire comprend l'élément de mémoire.
Le dispositif mémoire non volatil peut comprendre un dispositif mémoire flash ayant une barrette mémoire non volatile.
Dans certains de ses modes de réalisation, la présente invention se rapporte à un dispositif de mémoire et à un procédé de programmation de cellules de mémoire du dispositif de mémoire.
L'invention porte enfin sur des procédés de fabrication d'un dispositif de mémoire qui comprennent la formation d'une cavité entre les cellules de mémoire du dispositif de mémoire.
L'invention concerne également une cellule de mémoire, une mémoire et un dispositif informatique.
Certains modes de réalisation de la présente invention comportent un dispositif de mémoire et des procédés de formation du dispositif de mémoire.
L'invention concerne un dispositif mémoire et un procédé de fabrication du dispositif mémoire.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод