Dictionnaire anglais - français

mask pattern

generator
électronique et électrotechnique - acta.es
électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
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Publications scientifiques

Astrometric correction for wfc3/uvis lithographic-mask pattern...central field in ω Cen taken with large dither patterns and over a large range of HST roll-angles exposed through F606W UVIS filter have been used to examine the lithographic-mask pattern imprinted on the WFC3/UVIS detector during the manufacturing process....
général - core.ac.uk - PDF: citeseerx.ist.psu.edu
Mask pattern transferred transient grating technique for molecular-dynamics study in solutionsWe have developed a mask pattern transferred transient grating (MPT-TG) technique by using metal grating films....
général - core.ac.uk - PDF: authors.library.caltech.edu
Mask pattern recovery using level set method and its application on defect auto disposition based on simulated aerial/wafer image... This paper describes how mask patterns can first be recovered from the inspection images by applying patented algorithms that employ Level Set Methods....
général - core.ac.uk - PDF: luminescenttechnologies.com
Remote fiber optic angular-orientation sensor using phase detection of two orthogonal oscillating polarization vectors... Two other light beams aredirected to a two channel digital mask pattern imprintedon the code wheel....
général - core.ac.uk - PDF: calhoun.nps.edu

Exemples anglais - français

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Traductions en contexte anglais - français

Then, the third mask pattern may be generated based on the second mask pattern, where the photo-mask corresponds to the third mask pattern.

Puis, le troisième dessin de masque peut être généré sur la base du deuxième dessin de masque, où le photomasque correspond au troisième dessin de masque.

communication - wipo.int
A mask pattern design system is provided for outputting the prescribed mask pattern information corresponding to the desired mask pattern to the pattern generator (38).

Un système de conception de dessin de masque permet de fournir au générateur de dessin de masque (38) l'information de dessin de masque prescrite correspondant au dessin de masque voulu.

communication - wipo.int
A mask registration unit (16) reads out a mask pattern corresponding to a print mode from the mask pattern storage unit (15) and registers the mask pattern into a mask registration memory (17).

Une unité d'alignement de masque (16) lit un motif de masque correspondant à un mode d'impression à partir de l'unité de stockage de motif de masque (15) et aligne le motif de masque dans une mémoire d'alignement de masque (17).

communication - wipo.int
By using the resist pattern as a mask, a semiconductor layer etching mask pattern is formed.

En utilisant le motif de résistance comme masque, il est possible de former un motif de masque pour le décapage de la couche à semi-conducteurs.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The second mask pattern is spaced apart from the first mask pattern with a first distance.

Le second motif du masque est espacé du premier motif par une première distance.

communication - wipo.int
The third mask pattern is spaced apart from the first mask pattern with a second distance.

Le troisième motif est espacé du premier motif par une seconde distance.

communication - wipo.int
By using a first mask with a first main mask pattern for forming a main pattern and a first dummy mask pattern for forming a dummy pattern formed, a substrate is exposed to light.

Grâce à l'utilisation d'un premier masque ayant un premier motif de masque principal servant à former un motif principal et un premier dessin de masque factice servant à former un motif factice, un substrat est exposé à la lumière.

électronique et électrotechnique - wipo.int
During a method for generating a third mask pattern to be used on a photo-mask in a photolithographic process, first features are added to a first mask pattern to produce a second mask pattern.

Lors d'un procédé pour générer un troisième dessin de masque devant être utilisé sur un photomasque dans un processus photolithographique, des premières entités sont ajoutées à un premier dessin de masque pour produire un deuxième dessin de masque.

communication - wipo.int
Then, by using a second mask with a second main mask pattern for forming the main pattern and a second dummy mask pattern for forming the dummy pattern formed, the substrate is exposed to light.

Ensuite, grâce à l'utilisation d'un second masque ayant un second motif de masque principal servant à former le motif principal et un second motif de masque factice servant à former le motif factice, le substrat est exposé à la lumière.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Data (pattern data) (21) for forming a mask pattern out of mask data (2) is on an octagon.

Selon la présente invention, des données (données de modèles) (21) permettant de former un modèle de masque à partir de données de masque (2) se trouve sur un octogone.

communication - wipo.int
Light is transmitted through the first mask pattern and propagates to the second mask pattern, thereby forming a propagation pattern at that location.

La lumière émise traverse le premier motif de masque, se propage vers le second motif de masque et forme un motif de propagation à cet emplacement.

communication - wipo.int
A system receives a mask pattern and a first image of at least a portion of a photo-mask corresponding to the mask pattern.

La présente invention concerne un système qui reçoit un motif de masque et une première image d'au moins une partie d'un photomasque correspondant au motif de masque.

informatique et traitement des données - wipo.int
A method for synthesizing correction features for an entire mask pattern that initially divides mask pattern data into tiles of data - each tile representing an overlapping section of the original mask pattern.

Procédé servant à synthétiser des caractéristiques de correction pour une structure entière de masque, commençant par diviser ladite structure en pavés de données, chaque pavé représentant une partie en chevauchement de la structure de masque originale.

communication - wipo.int
A transfer pattern with the first dummy mask pattern transferred onto the substrate does not correspond with the transfer pattern with the second dummy mask pattern transferred onto the substrate.

Un motif de transfert ayant le premier motif de masque factice transféré sur le substrat ne correspond pas au motif de transfert ayant le second motif de masque factice transféré sur le substrat.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Upon receipt of the prescribed mask pattern information, the pattern generator (38) generates a resident mask pattern therein to be imaged upon the photo resist coated subject.

A la réception d'une information de dessin de masque prescrite, le générateur de dessin de masque (38) fournit un dessin de masque résident aux fins d'imagerie sur le sujet susmentionné.

communication - wipo.int


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