Puis, le troisième dessin de masque peut être généré sur la base du deuxième dessin de masque, où le photomasque correspond au troisième dessin de masque.
Un système de conception de dessin de masque permet de fournir au générateur de dessin de masque (38) l'information de dessin de masque prescrite correspondant au dessin de masque voulu.
Une unité d'alignement de masque (16) lit un motif de masque correspondant à un mode d'impression à partir de l'unité de stockage de motif de masque (15) et aligne le motif de masque dans une mémoire d'alignement de masque (17).
En utilisant le motif de résistance comme masque, il est possible de former un motif de masque pour le décapage de la couche à semi-conducteurs.
Le second motif du masque est espacé du premier motif par une première distance.
Le troisième motif est espacé du premier motif par une seconde distance.
Grâce à l'utilisation d'un premier masque ayant un premier motif de masque principal servant à former un motif principal et un premier dessin de masque factice servant à former un motif factice, un substrat est exposé à la lumière.
Lors d'un procédé pour générer un troisième dessin de masque devant être utilisé sur un photomasque dans un processus photolithographique, des premières entités sont ajoutées à un premier dessin de masque pour produire un deuxième dessin de masque.
Ensuite, grâce à l'utilisation d'un second masque ayant un second motif de masque principal servant à former le motif principal et un second motif de masque factice servant à former le motif factice, le substrat est exposé à la lumière.
Selon la présente invention, des données (données de modèles) (21) permettant de former un modèle de masque à partir de données de masque (2) se trouve sur un octogone.
La lumière émise traverse le premier motif de masque, se propage vers le second motif de masque et forme un motif de propagation à cet emplacement.
La présente invention concerne un système qui reçoit un motif de masque et une première image d'au moins une partie d'un photomasque correspondant au motif de masque.
Procédé servant à synthétiser des caractéristiques de correction pour une structure entière de masque, commençant par diviser ladite structure en pavés de données, chaque pavé représentant une partie en chevauchement de la structure de masque originale.
Un motif de transfert ayant le premier motif de masque factice transféré sur le substrat ne correspond pas au motif de transfert ayant le second motif de masque factice transféré sur le substrat.
A la réception d'une information de dessin de masque prescrite, le générateur de dessin de masque (38) fournit un dessin de masque résident aux fins d'imagerie sur le sujet susmentionné.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод