La structure à motifs peut être obtenue grâce à n'importe quelle technologie de formation de motifs, comme la photolithographie, la lithographie à faisceau d'électrons et la lithographie par nano-impression.
Ce polymère peut être utilisé dans une résine photosensible en lithographie par laser à excimères de type DUV (UV profonds), en lithographie par faisceau d'électrons, en lithographie de type EUV (UV extrêmes) ou autre.
L'invention porte également sur des systèmes lithographiques et sur un verre de silice fondu de haute pureté utilisé en lithographie.
Elle vend trois catégories de produits, dont la lithographie DUV, la lithographie EUV et les solutions de lithographie holistique.
Cette invention concerne un appareil de lithographie en continu conçu pour exécuter simultanément un processus de lithographie et un acheminement en continu.
La présente invention concerne un appareil d'impression lithographique comprenant une station d'entretien (136).
L’invention concerne un gabarit destiné à être utilisé dans l’impression lithographique.
La lithographie offset est la version industrialisée de la même technique d'impression lithographique manuelle.
Par exemple, une plaque maître pour une impression lithographique peut être réalisée.
L'invention concerne un appareil de distribution de gouttelettes que l'on peut fabriquer en utilisant un processus d'impression lithographique.
Ladite topologie simulée lithographique représente les effets lithographiques sur ledit élément.
L'invention concerne également des plaques de photomasques de gravure ainsi que des préformes permettant la production d'un photomasque de gravure.
Sont également décrits des procédés et des systèmes lithographiques faisant appel audit liquide d'immersion.
L'invention concerne un instrument de gravure par faisceau d'électrons et de photons combinés qui tire profit du haut rendement de la gravure optique et de la haute résolution spatiale de la gravure électronique.
La présente invention concerne un procédé et un système pour lithographie par faisceau à particules telle qu'une lithographie par faisceau d'électrons (EB).
f. équipements de lithographie, comme suit
f. équipements de lithographie, comme suit
Un limiteur (14) de diffraction peut être utilisé pour constituer une lithographie par projection présentant certains avantages associés à la lithographie par impact sans apporter certains des désavantages liés à cette dernière.
La présente invention se rapporte à des systèmes et à des techniques de lithographie.
L'invention concerne des matériaux cristallins de lithographie optique fonctionnant à des longueurs d'ondes inférieures à 160 nm destinés à des systèmes et à des procédés de lithographie optique en ultraviolet à vide.
L'invention porte sur un procédé grâce auquel les caractéristiques de lithographie d'une composition pour lithographie, qui comprend un copolymère pour lithographie, peuvent être évaluées sans préparer en pratique la composition pour lithographie.
équipements de lithographie, comme suit, et équipements de lithographie par impression capables de produire des éléments égaux ou inférieurs à 45 nm
La présente invention concerne un cliché offset photosensible positif.
Une lithographie à sondes à caractères est par conséquent établie.
L'invention concerne un système de dispositif à balayage et de suivi pour lithographie, lequel système comprend, selon un mode de réalisation, un système de lithographie par interférence.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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