Publications scientifiques

Thin-film vcsel and optical interconnection layer fabrications for fully embedded board level optical interconnects... The optical

interconnection layer

integrated with thin-film VCSEL andphoto-detector arrays is demonstrated.Electrical
...
général - core.ac.uk - PDF: repositories.lib.utexas.edu
Ingaas/inp membrane photodetector bonded on silicon... In our approach, the InP-based optical sources and detectors are linked via Si photonic waveguides in an interconnection layer on top of the CMOS circuitry....
général - core.ac.uk - PDF: alexandria.tue.nl
Ingaas/inp membrane photodetector bonded on silicon... In our approach, the InP-based optical sources and detectors are linked via Si photonic waveguides in an interconnection layer on top of the CMOS circuitry....
général - core.ac.uk - PDF: www.loc.gov

Exemples anglais - français

électronique et électrotechnique / communication / informatique et traitement des données - iate.europa.eu
communication - iate.europa.eu
énergie - iate.europa.eu
[...]

Traductions en contexte anglais - français

At its bottom, the

interconnection layer

also has a barrier

layer

(18) to prevent any intermixing between the amorphous silicon

layer

and the metal interconnection layer.

Sur son fond, la couche d'interconnexion est également protégée par une couche barrière (18) destinée à empêcher tout mélange entre la couche de silicium amorphe et la couche métallique d'interconnexion.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The interconnection layer is made by first forming a dielectric layer (122).

On fabrique cette couche d'interconnexion en formant tout d'abord une couche diélectrique (122).

électronique et électrotechnique - wipo.int
A radio-frequency filter is formed inside the interconnection layer stack by applying gaseous HF to the interconnection layers.

On forme un filtre de radiofréquence dans l'empilement de couches d'interconnexion par application de fluorure d'hydrogène gazeux sur les couches d'interconnexion.

technologie et réglementation technique - wipo.int
Between the underlying silicon layer and upper interconnection layer, a thin semiconductor material layer of amorphous silicon (18) may be located either below the refractory metal layer or above it.

Entre la couche de silicium sous-jacente et la couche supérieure d'interconnexion, il peut y avoir une mince couche de matériau semi-conducteur en silicium amorphe (18), soit sous la couche métallique réfractaire, soit au-dessus d'elle.

électronique et électrotechnique - wipo.int
Cu interconnection layers (25, 26) are formed on the CF films (21, 23) through an adherence layer (29) comprising a Ti layer and a TiC layer.

Des couches d'interconnexion en Cu (25, 26) sont formées sur les films de CF (21, 23) par l'intermédiaire d'une couche d'adhérence (29) comprenant une couche en Ti et une couche en TiC.

électronique et électrotechnique - wipo.int
An interconnection layer (212) includes electrodes (214, 216) which provides electrical connections to the photodiodes.

Une couche d'interconnexion (212) comprend des électrodes (214, 216) qui assurent des connexions électriques aux photodiodes.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The interconnection layer is adapted to form electrical connections between the logical and functional devices.

La couche d'interconnexion est conçue pour permettre la formation de connexions électriques entre les dispositifs logiques et fonctionnels.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A method of depositing a copper interconnection layer on a substrate such on a glass substrate for use e.g. in TFT-LCD flat panel interconnection system.

La présente invention concerne un procédé de dépôt d'une couche d'interconnexion de cuivre sur un substrat, tel qu'un substrat de verre, destiné à être utilisé par exemple dans un système d'interconnexion d'écran plat TFT-LCD.

métallurgie et sidérurgie - wipo.int
The antifuse is formed between a silicon layer (10), which could be a doped region of the semiconductor substrate, an epitaxial layer or a polysilicon layer, and an upper metal interconnection layer (19).

Ledit antifusible est formé entre une couche de silicium (10), qui peut être une région dopée d'un substrat semi-conducteur, une couche épitaxiale ou une couche de polysilicium et une couche métallique supérieure d'interconnexion.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A semiconductor device comprises an adhesion layer between an SiO2 insulating layer or a metallic interconnection layer and a fluorine-added CF film to enhance the adhesion between both.

Ce dispositif comprend une couche d'adhésion entre une couche isolante de SiO2 ou une couche d'interconnexion métallique et un film de CF à base de fluor pour améliorer l'adhésion entre les deux.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A nanometer silver film (22) is plated on the upper surface of the metal interconnection layer.

Un film de nano-argent (22) est plaqué sur la surface supérieure de la couche d'interconnexion métallique.

bâtiment et travaux publics - wipo.int
The chip area is reduced because the fuse structure is stacked on the metal interconnection layer.

En outre, la surface de puce est réduite, car la structure de fusible est empilée sur la couche d'interconnexion métallique.

électronique et électrotechnique - wipo.int
An intermetal dielectric film (201) is formed over a substrate (101) having an interconnection layer (107).

Un film diélectrique intermétallique (201) est formé sur un substrat (101) possédant une couche d'interconnexion (107).

électronique et électrotechnique - wipo.int
On a semiconductor substrate, a semiconductor layer having the semiconductor integrated circuit and an optical interconnection layer for transmitting the optical signals are connected.

Sur un substrat semi-conducteur, une couche de semi-conducteur ayant le circuit intégré à semi-conducteur et une couche d'interconnexion optique pour transmettre les signaux optiques sont connectées.

sciences naturelles et appliquées - wipo.int
MEMS devices are formed within the stack of interconnection layers by applying gaseous HF to a first layer of dielectric material positioned highest in the stack of interconnection layers.

Des dispositifs de MEMS sont formés dans l'empilement de couches d'interconnexion par application de fluorure d'hydrogène en phase gazeuse à une première couche de matériau diélectrique située plus haut dans la pile de couches d'interconnexion.

technologie et réglementation technique - wipo.int


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