Sur son fond, la couche d'interconnexion est également protégée par une couche barrière (18) destinée à empêcher tout mélange entre la couche de silicium amorphe et la couche métallique d'interconnexion.
On fabrique cette couche d'interconnexion en formant tout d'abord une couche diélectrique (122).
On forme un filtre de radiofréquence dans l'empilement de couches d'interconnexion par application de fluorure d'hydrogène gazeux sur les couches d'interconnexion.
Entre la couche de silicium sous-jacente et la couche supérieure d'interconnexion, il peut y avoir une mince couche de matériau semi-conducteur en silicium amorphe (18), soit sous la couche métallique réfractaire, soit au-dessus d'elle.
Des couches d'interconnexion en Cu (25, 26) sont formées sur les films de CF (21, 23) par l'intermédiaire d'une couche d'adhérence (29) comprenant une couche en Ti et une couche en TiC.
Une couche d'interconnexion (212) comprend des électrodes (214, 216) qui assurent des connexions électriques aux photodiodes.
La couche d'interconnexion est conçue pour permettre la formation de connexions électriques entre les dispositifs logiques et fonctionnels.
La présente invention concerne un procédé de dépôt d'une couche d'interconnexion de cuivre sur un substrat, tel qu'un substrat de verre, destiné à être utilisé par exemple dans un système d'interconnexion d'écran plat TFT-LCD.
Ledit antifusible est formé entre une couche de silicium (10), qui peut être une région dopée d'un substrat semi-conducteur, une couche épitaxiale ou une couche de polysilicium et une couche métallique supérieure d'interconnexion.
Ce dispositif comprend une couche d'adhésion entre une couche isolante de SiO2 ou une couche d'interconnexion métallique et un film de CF à base de fluor pour améliorer l'adhésion entre les deux.
Un film de nano-argent (22) est plaqué sur la surface supérieure de la couche d'interconnexion métallique.
En outre, la surface de puce est réduite, car la structure de fusible est empilée sur la couche d'interconnexion métallique.
Un film diélectrique intermétallique (201) est formé sur un substrat (101) possédant une couche d'interconnexion (107).
Sur un substrat semi-conducteur, une couche de semi-conducteur ayant le circuit intégré à semi-conducteur et une couche d'interconnexion optique pour transmettre les signaux optiques sont connectées.
Des dispositifs de MEMS sont formés dans l'empilement de couches d'interconnexion par application de fluorure d'hydrogène en phase gazeuse à une première couche de matériau diélectrique située plus haut dans la pile de couches d'interconnexion.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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