... We present a review of our recent results on the characterization of the physical properties of hot-carrier-induced defects in MOS transistors....

... Nous présentons une revue de nos récents travaux sur la caractérisation des propriétés physiques des défauts induits dans les transistors MOS par l'injection de porteurs chauds...

général - core.ac.uk -

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Hot-carrier reliability assessment in cmos digital integrated circuitsAs VLSI technologies scale to deep submicron region, the DC device-based hot-carrier criterion is no longer practical for predicting hot-carrier reliability....

général - core.ac.uk - PDF: dspace.mit.edu

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Technology mapping for hot-carrier reliability enhancement... Among all the failure mechanisms, hot-carrier effect is one of those which have the most significant impact on the long-term reliability of high-density VLSI circuits....

général - core.ac.uk - PDF: citeseerx.ist.psu.edu

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Low-frequency noise in hot-carrier degraded mosfets...

général - core.ac.uk - PDF: purl.utwente.nl

Exemples anglais - français

hot-carrier diode

diode Schottky

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

diode à barrière de Schottky

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

diode de Schottky

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

[...]

diode à porteurs chauds majoritaires

diode à porteurs chauds

overlay hot-carrier diode

diode Schottky à recouvrement

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

hot-carrier power diode

diode Schottky de puissance

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu

Traductions en contexte anglais - français

Soft programming voltages that utilize the hot-carrier mechanism are selected and are applied sequentially to memory cells in wordlines.

Les tensions de programmation souple utilisant le mécanisme de porteurs chauds sont sélectionnées et appliquées de manière séquentielle aux cellules mémoire en canaux mot.

informatique et traitement des données - wipo.int

As a result, PETE does not rely on emission of non-thermalized electrons, and is significantly easier to implement than hot-carrier emission approaches.

Il en résulte que la PETE ne dépend pas de l'émission des électrons non thermalisés et qu'elle est significativement plus simple à mettre en œuvre que les approches à émission à porteurs chauds.

électronique et électrotechnique - wipo.int

The drain extension extends at least as far below the upper semiconductor surface as the main drain portion so as to help reduce hot-carrier effects.

Le prolongement de drain se prolonge au moins jusqu'au dessous de la surface à semi-conducteur supérieure en tant que partie de drain principale pour permettre la réduction des effets porteur chaud.

électronique et électrotechnique - wipo.int

Hot-carrier degradation and leakage of the load current flowing through from the power supply voltage (VPP) to the reference voltage (VSS) can be then reduced.

Une dégradation de courant porteur chaud et une fuite de courant de charge circulant depuis la tension d'alimentation d'énergie (VPP) vers la tension de référence (VSS) peut ensuite être réduite.

électronique et électrotechnique - wipo.int

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Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,

Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,

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