Dictionnaire anglais - français

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
A SiGe hetero-bipolar transistor is used as the foregoing bipolar transistor.

Un transistor hétéro-bipolaire SiGe est utilisé pour jouer le rôle dudit transistor bipolaire.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The silicone-germanium hetero-bipolar transistor contains an additional electrically active material.

Le transistor hétéro-bipolaire au silicium-germanium contient un matériau supplémentaire électriquement inactif.

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The invention thus reduces the resistance of the hetero-bipolar transistor/emitter arrangement.

L'invention permet ainsi d'abaisser la résistance du dispositif transistor hétéro-bipolaire-émetteur.

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The high-speed switching characteristic of the SiGe hetero-bipolar transistor effectively reduces the loss of the electric power transforming apparatus.

La caractéristique de commutation à haute vitesse du transistor hétéro-bipolaire SiGe diminue efficacement les pertes de l'appareil de transformation d'énergie électrique.

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The inventive method reduces the number of steps required for producing a hetero-bipolar transistor and consequently the time and money required for the production thereof.

Ce procédé permet de réduire le nombre d'étapes du procédé de réalisation de transistor hétéro-bipolaire, et ainsi le temps et les frais engendrés par ladite réalisation.

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Synonymes et termes associés anglais

Exemples anglais - français

transport terrestre / industrie mécanique - techdico

Traductions en contexte anglais - français

A hetero-BiMOS injection system comprises a MOSFET transistor formed on a substrate and a hetero-bipolar transistor formed within the substrate.

L'invention concerne un système d'injection hétéro-BiMOS qui comporte un transistor MOSFET formé sur un substrat et un transistor hétéro bipolaire formé à l'intérieur du substrat.

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The invention relates to a Gunn effect semiconductor component such as a GaAs-hetero-bipolar transistor (HBT) for the variable and regulatable production of electrical oscillations.

L'invention concerne un composant à semi-conducteur à effet Gunn tel qu'un transistor bipolaire à hétérojonction sur GaAs (HBT) conçu pour produire des oscillations électriques variables et réglables.

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To this end, a Gunn effect semiconductor component such as a GaAs-hetero-bipolar transistor (HBT) for the variable and regulatable production of electrical oscillations is provided, comprising a thick collector (3).

A cet effet, un composant à semi-conducteur à effet Gunn tel qu'un transistor bipolaire à hétérojonction sur GaAs (HBT) destiné à générer des oscillations électriques variables et réglables a été conçu et comprend un collecteur épais.

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The semiconductor device is made from silicone-germanium hetero-bipolar transistors according to the epitaxy method.

Le dispositif semiconducteur est fabriqué à partir de transistors hétéro-bipolaires au silicium-germanium selon le procédé d'épitaxie.

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The invention relates to a method of producing integrated circuits provided with silicon-germanium hetero-bipolar transistors.

L'invention concerne un procédé de production de circuits intégrés ayant des transistors hétérobipolaires silicium-germanium.

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Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;

Dispositifs semi-conducteurs électroniques à hétérostructure tels que les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMT), transistors hétéro-bipolaires (HBT), dispositifs à puits quantique et à super-réseaux;

général - CCMatrix (Wikipedia + CommonCrawl)


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