Les sels préférés sont ceux du groupe IB, et de préférence les sels d'argent.
L'élément du groupe IB se combine avec l'élément du groupe VIA pour former une composition IB2VIA.
Les sels préférés sont du groupe IB, de préférence des sels d'argent et de cuivre.
Le métal de base est sélectionné parmi les métaux du groupe IB-VIIB, les métaux du groupe IIIA-VA, les métaux lanthanides, le fer, le cobalt et le nickel.
L'invention concerne des nouveaux allèles génétiques du gène (PLA2G1B) du groupe IB (pancréas), de la phospholipase A2, ainsi que divers génotypes, haplotypes et paires d'haplotypes du gène PLA2G1B, existant dans la population des Etats-Unis d'Amérique.
De préférence, le conducteur d'ions comprend un matériau à base de chalcogénure présentant des métaux des groupes IB ou IIB.
Parmi les métaux de base appropriés, on trouve des métaux des groupes IB-VIIB, des métaux des groupes IIIA-VA, des métaux lanthanides, le fer, le cobalt et le nickel.
L'additif peut être un additif du groupe IB hormis le cuivre, sous une forme élémentaire ou en alliage.
La couche précurseur métallique incluant des matériaux du groupe IB et du groupe HIA tels que Cu, Ga et In est déposée sur une base.
Le film semi-conducteur de IB-IIIA-VIA sur substrat peut servir à des applications photovoltaïques.
La couche semi-conductrice de type p comprend un semi-conducteur contenant un élément du groupe Ib, un élément du groupe IIIb et un élément du groupe VI et présente une structure de chalcopyrite.
De manière spécifique, les piles photovoltaïques à film mince CI(G)S peuvent être fabriquées par mélange de métaux fondus du groupe IIIA avec des nanoparticules solides du groupe IB et (éventuellement) des métaux du groupe IIIA.
L'ion métallique multivalent peut être dérivé du groupe allant de IIA à VIA et de IB à VIIIB du tableau périodique des éléments.
Le film contient des nanoparticules de chalcogénure du groupe IB et/ou des nanoparticules et/ou nanoglobules et/ou nanogouttelettes de chalcogénure du groupe IIIA et une source de chalcogène supplémentaire.
La présente invention concerne une solution de galvanoplastie pour le dépôt d'une couche mince du Groupe IB-IIIA sur une surface conductrice.
Une couche naissante d'absorbeur contenant un ou plusieurs éléments du groupe IB et un ou plusieurs éléments du groupe IIIA est formée sur le substrat.
Une couche d'agent absorbant naissant, contenant un ou plusieurs éléments du groupe IB et un ou plusieurs éléments du groupe IIIA est formée sur le substrat.
IB Group a été parenthesised néanmoins de noter qu'il était provisoire.
IB Group a été parenthesised néanmoins de noter qu'il était provisoire.
Une couche absorbant le rayonnement solaire de matière de groupe IB-IIIB-VIB2 à bande interdite étroite est formée sur la couche de contact arrière.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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