Dictionnaire anglais - français

germanium

informatique et traitement des données / électronique et électrotechnique / chimie / sciences naturelles et appliquées - acta.es iate.europa.eu
The silicon and/or germanium surfaces comprise silicon nitride, silicon carbide, germanium nitride, germanium carbide and silicon germanium surfaces.

Les surfaces en silicium et/ou germanium comprennent des surfaces en nitrure de silicium, en carbure de silicium, en nitrure de germanium, en carbure de germanium et en silicium germanium.

industrie mécanique - wipo.int
Germanium and articles thereof, n.e.s.; germanium waste and scrap (excl. ash and residues containing germanium

Germanium et ouvrages en germanium, n.d.a.; déchets et débris de germanium (sauf cendres et résidus contenant du germanium

produit alimentaire - eur-lex.europa.eu
The germanium solar cell preferably comprises an n-type germanium layer; and a p-type germanium layer form on the n-type germanium layer.

La photopile au germanium comprend de préférence une couche de germanium de type n ; et une couche de germanium de type p formée sur la couche de germanium de type n.

électronique et électrotechnique - wipo.int
At least one metal may be deposited on the germanium zeolite, germanium aluminophosphate (AIPO) or germanium silicoaluminophosphate (SAPO).

Au moins un métal peut être déposé sur le zéolite, sur l'aluminophosphate de germanium (AlPO) ou sur un silicoaluminophosphate de germanium (SAPO).

technologie et réglementation technique - wipo.int
The catalyst is a medium pore germanium zeolite, a germanium aluminophosphate (AIPO) or a germanium silicoaluminophosphate (SAPO).

Le catalyseur est: un zéolite de germanium de taille de pore moyenne, un aluminophosphate de germanium (AlPO) ou un silicoaluminophosphate de germanium (SAPO).

technologie et réglementation technique - wipo.int
Charged grain boundaries in germanium
... The screening effects depend strongly on temperature and the doping conditions : in n type germanium a depleted layer is found at low temperatures, with a gradual evolution towards an inversion layer in the high temperature range....
... Les effets d'écran dépendent fortement de la température et du taux de dopage : dans le germanium de type n, il apparait une couche de déplétion à basse température, avec une évolution graduelle vers une couche d'inversion à haute température....
général - core.ac.uk -
Injection électrique pour un laser en germanium contraint
Tensile strained and n-doped germanium can be used as an active material for the realization of an optical source for silicon photonics....
... deformation, taking into account the electrical carrier injectionL’utilisation du germanium dopé de type n et contraint en tension ouvre la possibilité d’obtenir une source laser monolithique pour la photonique sur silicium....
général - core.ac.uk - PDF: tel.archives-ouvertes.fr
Nouvelles espèces à basse coordinence du germanium : synthèse et réactivité
The development of new low valent germanium species, such as germylene or germyne, stabilized by phosphine ligand, their properties and reactivities are the subject of this work....
...L'objectif de cette thèse est le développement de nouvelles espèces à basse coordinence du germanium, telles que le germylène ou le germyne, stabilisées par coordination d'une phosphine, et l'étude de leurs propriétés et réactivités....
général - core.ac.uk - PDF: core.ac.uk
Structure des joints de grains dans le germanium
Some [011] and [001] symmetrical tilt grain boundaries in germanium have been studied using conventional T E M....
...Des joints de flexion symétriques d'axe [011] e t [001] dans le germanium ont été étudiés par microscopie électronique conventionnelle en transmission....
général - core.ac.uk -
Critical modeling issues of sige semiconductor devices, journal of telecommunications and information technology, 2004, nr 1We present the state-of-the-art in simulation of silicon-germanium (SiGe) semiconductor devices....
électronique et électrotechnique / politique des transports - core.ac.uk - PDF: dlibra.itl.waw.pl
Synthesis and structure of different-metal and onium germanium (iv) coordination compounds with galactaric acid, mg2+, ca2+, ba2+ ions, isoniazid and nicotinamideAccording to the new-designed method of synthesis the solid coordination compounds of Germanium (IV) with galactaric acid (H6Gala), Mg2+, Ca2+, Ba2+ ions and exo-ligands (isoniazidе (Ind) and nicotinamidе (Nad)) were obtained: M(Н2О)6][Ge2(μ-HGala)2]·nH2O (M= Mg...
 PDF: doaj.org
Solution-processed germanium nanowire-positioned schottky solar cellsGermanium nanowire (GeNW)-positioned Schottky solar cell was fabricated by a solution process....
Binding and precipitation of germanium(iv) by penta‑o‑galloyl-β‑d‑glucoseComplexformation and precipitation of germanium by a well-characterizedhydrolyzable tannin, 1,2,3,4,6-penta-O-galloyl-β-d-glucose (PGG), was studied in this work....

Publications scientifiques

Matériaux composites si@c nanostructurés pour anodes de batterie li-ion à haute densité d’énergie. relations entre structure/morphologie et mécanismes de dégradation
... Another strategy for stabilization is the design of SiGe nanostructured alloys to take advantage of the germanium stability in anodes....
chimie / politique tarifaire - core.ac.uk -
Dimensional reduction from 2d layer to 1d band forgermanophosphates induced by the “tailor effect” offluoride... Their fluorinated derivatives,K4[MIIGe2F2(OH)2­(PO4)2(HPO4)2]·2H2O (M = Fe, Co), exhibit band structuresof two four-membered ring germanium phosphate single chains sandwichedby MIIO6 octahedra via corner-sharing....
Préparée au sein de l’institut nanoscience et cryogenie, cea- grenobledans l'École Doctorale de Physique de Grenoble Injection de spin dans le germanium: de l'injecteur ferromagnetique metallique a l'injecteur semiconducteur (Ge,Mn) Thèse soutenue publiquement le 26 Octobre 2011, devant le jury composé de
communication / informatique et traitement des données - core.ac.uk - PDF: figshare.comgénéral - core.ac.uk - PDF: citeseerx.ist.psu.edu
Croissance épitaxiale de gaas sur substrats de ge par épitaxie par faisceaux chimiques...haut.La réalisation de ce projet a nécessité le développement d'un procédé de préparation de surface pour les substrats de germanium, la réalisation de nombreuses séances de croissance épitaxiale et la caractérisation des matériaux obtenus par microscopie optique, microscopie à force atomique (AFM),...
général - core.ac.uk - PDF: core.ac.uk
La briartite, cu2(fe,zn)ges4, une nouvelle espèce minéraleUn nouveau sulfure de germanium, cuivre et fer, a été découvert dans le minerai de la Mine Prince Léopold à Kipushi (Katanga)....
général - core.ac.uk -

Exemples anglais - français

général - eur-lex.europa.eu
chimie - iate.europa.eu
électronique et électrotechnique / chimie - iate.europa.eu
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Traductions en contexte anglais - français

Germanium and/or germanium compounds is/are detected during the etching process, and the etching process is controlled, particularly aborted, in accordance with the detection of germanium and/or germanium compounds.

Pendant le processus de gravure, on effectue une détection de germanium et/ou de composés de germanium et, en fonction de cette détection de germanium et/ou de composés de germanium, le processus de gravure est commandé, voire interrompu.

technologie et réglementation technique - wipo.int
The silicon germanium layer has about 5 % to 50 % atomic count of germanium.

Cette couche de silicium-germanium possède un nombre atomique correspondant à 5 % à 50 % de germanium.

électronique et électrotechnique - wipo.int
A Nickel Silicon Germanium silicide layer is formed on the Silicon Germanium alloy.

Une couche de siliciure de nickel-silicium-germanium est formée sur l'alliage silicium-germanium.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The material generally contains germanium, and usually is a polycrystalline silicon-germanium alloy.

Le matériau contient généralement du germanium, et il se présente usuellement sous la forme d'un alliage de germanium-silicium polycristallin.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The material generally contains germanium, and usually is a polycrystalline silicon-germanium alloy.

La matière contient généralement du germanium et se présente habituellement sous forme d'un alliage polycristallin silicium-germanium.

électronique et électrotechnique - wipo.int
An alumina germanium ceramic sintered article prepared by firing said alumina germanium ceramic composition.

Elle concerne également un article fritté céramique de germanium alumine élaboré par cuisson de ladite composition de céramique de germanium alumine.

bâtiment et travaux publics - wipo.int
In the method germanium dioxide and metallic germanium are not used as starting materials.

Dans le cadre de ce procédé, ni le dioxyde de germanium ni le germanium métallique ne constituent des produits de départ.

chimie - wipo.int
germanium(111)EPD etch

solution d'attaque pour densité de défauts dans le germanium(111)

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
The inventive germanium adding source for a compound semiconductor comprises an organic germanium compound.

La source permettant l’ajout de germanium à un matériau semi-conducteur composé décrite dans la présente invention comprend un composé organique du germanium.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The feedstock for use in the manufacturing of germanium doped silica glass products includes a siloxane and a germanium dopant component such as germanium alkoxide.

La charge destinée à être utilisée dans la fabrication de produits en verre de silice dopés au germanium comprend un siloxane et un composant de dopage au germanium tel que l'alcoxyde de germanium.

chimie - wipo.int
The amorphous germanium layer is then polished and removed until only a portion of the amorphous germanium layer is located around the single crystal germanium layer.

La couche de germanium amorphe est ensuite polie puis retirée jusqu'à ce que seulement une partie de celle-ci soit située autour de la couche de germanium monocristallin.

électronique et électrotechnique - wipo.int
germanium(100)EPD etch

solution d'attaque pour densité de défauts dans le germanium(100)

électronique et électrotechnique - iate.europa.eu
The channel region is deposited and is preferably formed of polycrystalline germanium or silicon-germanium.

La zone de canal est déposée et de préférence formée de germanium polycristallin ou de silicium/germanium.

électronique et électrotechnique - wipo.int
The germanium substrate has two regions, a bulk p-type germanium region, and a phosphorus-doped n-type germanium region adjacent to the first surface.

Ce substrat de germanium comporte deux zones, une zone non épitaxiée de germanium de type P et une zone de germanium de type N dopée au phosphore adjacente à la première surface.

électronique et électrotechnique - wipo.int
In a further embodiment, vertically stacked silicon, silicon-germanium and germanium nanowires can be formed.

Dans un autre mode de réalisation, des nanofils en silicium, silicium-germanium et germanium empilés verticalement peuvent être formés.

électronique et électrotechnique - wipo.int


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