Les surfaces en silicium et/ou germanium comprennent des surfaces en nitrure de silicium, en carbure de silicium, en nitrure de germanium, en carbure de germanium et en silicium germanium.
Germanium et ouvrages en germanium, n.d.a.; déchets et débris de germanium (sauf cendres et résidus contenant du germanium
La photopile au germanium comprend de préférence une couche de germanium de type n ; et une couche de germanium de type p formée sur la couche de germanium de type n.
Au moins un métal peut être déposé sur le zéolite, sur l'aluminophosphate de germanium (AlPO) ou sur un silicoaluminophosphate de germanium (SAPO).
Le catalyseur est: un zéolite de germanium de taille de pore moyenne, un aluminophosphate de germanium (AlPO) ou un silicoaluminophosphate de germanium (SAPO).
Pendant le processus de gravure, on effectue une détection de germanium et/ou de composés de germanium et, en fonction de cette détection de germanium et/ou de composés de germanium, le processus de gravure est commandé, voire interrompu.
Cette couche de silicium-germanium possède un nombre atomique correspondant à 5 % à 50 % de germanium.
Une couche de siliciure de nickel-silicium-germanium est formée sur l'alliage silicium-germanium.
Le matériau contient généralement du germanium, et il se présente usuellement sous la forme d'un alliage de germanium-silicium polycristallin.
La matière contient généralement du germanium et se présente habituellement sous forme d'un alliage polycristallin silicium-germanium.
Elle concerne également un article fritté céramique de germanium alumine élaboré par cuisson de ladite composition de céramique de germanium alumine.
Dans le cadre de ce procédé, ni le dioxyde de germanium ni le germanium métallique ne constituent des produits de départ.
solution d'attaque pour densité de défauts dans le germanium(111)
La source permettant l’ajout de germanium à un matériau semi-conducteur composé décrite dans la présente invention comprend un composé organique du germanium.
La charge destinée à être utilisée dans la fabrication de produits en verre de silice dopés au germanium comprend un siloxane et un composant de dopage au germanium tel que l'alcoxyde de germanium.
La couche de germanium amorphe est ensuite polie puis retirée jusqu'à ce que seulement une partie de celle-ci soit située autour de la couche de germanium monocristallin.
solution d'attaque pour densité de défauts dans le germanium(100)
La zone de canal est déposée et de préférence formée de germanium polycristallin ou de silicium/germanium.
Ce substrat de germanium comporte deux zones, une zone non épitaxiée de germanium de type P et une zone de germanium de type N dopée au phosphore adjacente à la première surface.
Dans un autre mode de réalisation, des nanofils en silicium, silicium-germanium et germanium empilés verticalement peuvent être formés.
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
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