Un dispositif de commande programmable communique avec le dispositif de mesure, la porte d'entrée, la porte de triage et la porte d'entraînement et commande l'activation de la porte d'entrée, de la porte de triage et de la porte d'entraînement.
L'ensemble ligne de grille a des lignes de grille, des gâchettes et des plages grille.
Thyristor à commutation par gâchette symétrique (Symmetric Gate-Commutated Thyristor, SGCT) avec commande de gâchette intégrée
Le condensateur peut inclure une gâchette située sur un oxyde de gâchette et un puits n situé sur l'oxyde de gâchette.
Thyristor à commutation par gâchette symétrique (Symmetric Gate-Commutated Thyristor SGCT) avec commande de gâchette intégrée
Le transistor peut également comprendre une région de gâchette qui inclut une portion de gâchette principale, une ou plusieurs pointes de gâchette et une ou plusieurs portions arrondies de gâchette correspondantes.
Le fil de grille comprend des lignes de grille, des électrodes de grille, et des coussins de grille reliés aux lignes de grille.
L'ensemble lignes de grille comprend des lignes de grille et des électrodes de grille.
L'électrode grille de la grille plane et l'électrode grille de la grille à tranchée sont connectées sur la grille à tranchée.
L'électrode de grille est composée d'un premier matériau de grille disposé sur le diélectrique de grille et d'un second matériau de grille disposé sur le diélectrique de grille.
La grille de commande peut comprendre une première grille sus-jacente à la première grille de sélection et une seconde grille sus-jacente à la seconde grille de sélection.
L'ensemble lignes de portes comprend des lignes de portes, des électrodes de portes et des plages de connexion de portes.
La porte peut être une porte sensiblement façonnée, une porte façonnée ou une porte carrousel.
porte roulante dans la chambre de porte
les activités/processus gate-to-gate (de la porte à la porte
L'invention concerne une vanne porte qui comprend une enceinte, un support de porte dans l'enceinte, une porte reliée au support, et des premier et second actionneurs contrôlant le mouvement du support et de la porte.
La vanne comprend un siège de vanne et une voie de passage de fluide qui s'étend de part et d'autre de la vanne.
L'invention concerne une vanne (202) pour un robinet-vanne (200), un robinet-vanne (200) et un procédé d'assemblage d'un robinet-vanne (200).
L'invention concerne un robinet-vanne (11) doté d'un siège (37) de robinet-vanne servant à assurer l'étanchéité d'un corps (13) de vanne avec un opercule (25) du robinet-vanne.
Cet ensemble de barrière comprend un cadre de barrière ainsi qu'une barrière.
La cavité de grille est remplie avec un diélectrique de grille et une électrode de grille.
Ce fil de grille comprend une pluralité de lignes de grille et une pluralité d'électrodes de grille connectées aux lignes de grille.
La grille supplémentaire, qui est connectée électriquement à la grille de commande est disposée au-dessus de la grille flottante.
La grille métallique peut être une grille en métal pur ou une grille en alliage métallique, tel qu'un grille en siliciure de métal.
La grille comprend un oxyde de grille et un matériau conducteur sur l'oxyde de grille.
La couche diélectrique de grille (102) est située sur la région de canal (1002) et l'électrode de grille (104) sur la couche diélectrique de grille (102).
L'invention concerne la formation sur un substrat d'un fil de grille, dans une direction transversale, comprenant des lignes de grille, des électrodes de grille et des plages de grille.
Cette diode à effet tunnel à grille accordable comprend un diélectrique de grille formé sur une électrode de grille, et une électrode de graphène formée sur le diélectrique de grille.
Les structures d'empilements de grille comprennent une grille factice (104) et une couche de diélectrique de grille (102).
L'empilement de grille comprend une couche diélectrique de grille (102) et une électrode de grille (104).
L'empilement de grille comprend une couche d'oxyde de grille sur la couche de silicium et une couche d'électrode de grille sur la couche d'oxyde de grille.
L'invention concerne un fil de grille comprenant des lignes de grille, des électrodes de grille, et des plages de grille.
Ce fil de grille s'étend dans une direction transversale et est formé sur un substrat.
L'invention concerne un panneau réseau transistorisé en couches minces comprenant un substrat isolant et un câble de grille recouvert d'une couche isolante de grille sur laquelle est formée une structure semi-conductrice.
Une première structure de grille (108) comprend une couche de diélectrique de grille (112) et une grille (114).
Requêtes fréquentes anglais :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Requêtes fréquentes français :1-200, -1k, -2k, -3k, -4k, -5k, -7k, -10k, -20k, -40k, -100k, -200k, -500k, -1000k,
Traduction Translation Traducción Übersetzung Tradução Traduzione Traducere Vertaling Tłumaczenie Mετάφραση Oversættelse Översättning Käännös Aistriúchán Traduzzjoni Prevajanje Vertimas Tõlge Preklad Fordítás Tulkojumi Превод Překlad Prijevod 翻訳 번역 翻译 Перевод